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参数资料
| 型号： | LCMXO640E-4T100I |
| 厂商： | Lattice Semiconductor Corporation |
| 文件页数： | 21/88页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC PLD 640LUTS 74I/O 100-TQFP |
| 标准包装： | 90 |
| 系列： | MachXO |
| 可编程类型： | 系统内可编程 |
| 最大延迟时间 tpd(1)： | 4.2ns |
| 电压电源 - 内部： | 1.14 V ~ 1.26 V |
| 宏单元数： | 320 |
| 输入/输出数： | 74 |
| 工作温度： | -40°C ~ 100°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页当前第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页
Architecture
MachXO Family Data Sheet
Table 2-10. Supported Output Standards
BLVDS, RSDS
Output Standard
Single-ended Interfaces
LVTTL
LVCMOS33
LVCMOS25
LVCMOS18
LVCMOS15
LVCMOS12
LVCMOS33, Open Drain
LVCMOS25, Open Drain
LVCMOS18, Open Drain
LVCMOS15, Open Drain
LVCMOS12, Open Drain
PCI33 3
Differential Interfaces
LVDS 1, 2
2
LVPECL 2
Drive
4mA, 8mA, 12mA, 16mA
4mA, 8mA, 12mA, 14mA
4mA, 8mA, 12mA, 14mA
4mA, 8mA, 12mA, 14mA
4mA, 8mA
2mA, 6mA
4mA, 8mA, 12mA, 14mA
4mA, 8mA, 12mA, 14mA
4mA, 8mA, 12mA, 14mA
4mA, 8mA
2mA, 6mA
N/A
N/A
N/A
N/A
V CCIO (Typ.)
3.3
3.3
2.5
1.8
1.5
1.2
—
—
—
—
—
3.3
2.5
2.5
3.3
1. MachXO1200 and MachXO2280 devices have dedicated LVDS buffers.
2. These interfaces can be emulated with external resistors in all devices.
3. Top Banks of MachXO1200 and MachXO2280 devices only.
sysIO Buffer Banks
The number of Banks vary between the devices of this family. Eight Banks surround the two larger devices, the
MachXO1200 and MachXO2280 (two Banks per side). The MachXO640 has four Banks (one Bank per side). The
smallest member of this family, the MachXO256, has only two Banks.
Each sysIO buffer Bank is capable of supporting multiple I/O standards. Each Bank has its own I/O supply voltage
(V CCIO ) which allows it to be completely independent from the other Banks. Figure 2-18, Figure 2-18, Figure 2-20
and Figure 2-21 shows the sysIO Banks and their associated supplies for all devices.
2-18
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RCB92DHFR-S329 | EDGECARD PCI 184PS .050 3.3V SMD |
| XC2C384-10TQG144I | IC CR-II CPLD 384MCELL 144-TQFP |
| CWR09KC106KB | CAP TANT 10UF 25V 10% 2711 |
| RCB92DHFR-S250 | EDGECARD PCI 184POS .050 5V SMD |
| CWR29HC336KBHA | CAP TANT 33UF 15V 10% 2915 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| LCMXO640E-4T144C | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 640 LUTs 113 IO 1.2V -4 Spd RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
| LCMXO640E-4T144I | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 640 LUTs 113 IO 1.2V -4 Spd I RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
| LCMXO640E-4TN100C | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 640 LUTs 74 IO 1.2V -4 Spd RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
| LCMXO640E-4TN100I | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 640 LUTs 74 IO 1.2V -4 Spd I RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
| LCMXO640E-4TN144C | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 640 LUTs 113 IO 1.2V -4 Spd RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
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