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参数资料
| 型号： | LCMXO640E-4T100I |
| 厂商： | Lattice Semiconductor Corporation |
| 文件页数： | 68/88页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC PLD 640LUTS 74I/O 100-TQFP |
| 标准包装： | 90 |
| 系列： | MachXO |
| 可编程类型： | 系统内可编程 |
| 最大延迟时间 tpd(1)： | 4.2ns |
| 电压电源 - 内部： | 1.14 V ~ 1.26 V |
| 宏单元数： | 320 |
| 输入/输出数： | 74 |
| 工作温度： | -40°C ~ 100°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
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Pinout Information
MachXO Family Data Sheet
LCMXO2280 Logic Signal Connections: 324 ftBGA (Cont.)
LCMXO2280
Ball Number
J13
M18
L18
GND
VCCIO2
H16
H14
K18
J18
J17
VCC
H18
H17
G17
H13
H15
G18
F18
G14
G16
VCCIO2
GND
E18
F17
G13
G15
E17
E16
GND
F15
E15
D17
D18
B18
C18
C16
D16
C17
D15
VCCIO2
GND
GND
VCCIO1
Ball Function
PR10C
PR10B
PR10A
GNDIO2
VCCIO2
PR9D
PR9C
PR9B
PR9A
PR8D
VCC
PR8C
PR8B
PR8A
PR7D
PR7C
PR7B
PR7A
PR6D
PR6C
VCCIO2
GNDIO2
PR6B
PR6A
PR5D
PR5C
PR5B
PR5A
GND
PR4D
PR4C
PR4B
PR4A
PR3D
PR3C
PR3B
PR3A
PR2B
PR2A
VCCIO2
GNDIO2
GNDIO1
VCCIO1
Bank
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
-
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
-
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
1
1
Dual Function
Differential
T
C*
T*
C
T
C*
T*
C
T
C*
T*
C
T
C*
T*
C
T
C*
T*
C
T
C*
T*
C
T
C*
T*
C
T
C*
T*
C
T
4-25
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RCB92DHFR-S329 | EDGECARD PCI 184PS .050 3.3V SMD |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| LCMXO640E-4T144I | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 640 LUTs 113 IO 1.2V -4 Spd I RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
| LCMXO640E-4TN100C | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 640 LUTs 74 IO 1.2V -4 Spd RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
| LCMXO640E-4TN100I | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 640 LUTs 74 IO 1.2V -4 Spd I RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
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