参数资料
| 型号： | LM358DR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 12/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OPAMP DUAL LOW POWER 8SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 放大器类型： | 通用 |
| 电路数： | 2 |
| 转换速率： | 0.6 V/µs |
| 增益带宽积： | 1MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 45nA |
| 电压 - 输入偏移： | 2000µV |
| 电流 - 电源： | 1.5mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 40mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 3 V ~ 32 V，±1.5 V ~ 16 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1129 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | LM358DR2GOSDKR |
LM258, LM358, LM358A, LM2904, LM2904A, LM2904V, NCV2904, NCV2904V
http://onsemi.com
7
V
OR
,OUTPUT
VOL
TAGE
RANGE
(V
)
pp
V
O
,OUTPUT
VOL
TAGE
(mV)
Figure 6. LargeSignal Frequency Response
Figure 7. Small Signal Voltage Follower
Pulse Response (Noninverting)
Figure 8. Power Supply Current versus
Power Supply Voltage
Figure 9. Input Bias Current versus
Supply Voltage
14
12
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0
1.0
10
100
1000
f, FREQUENCY (kHz)
550
500
450
400
350
300
250
200
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
t, TIME (ms)
2.4
2.1
1.8
1.5
1.2
0.9
0.6
0.3
0
5.0
10
15
20
25
30
35
VCC, POWER SUPPLY VOLTAGE (V)
90
80
70
0
2.0
4.0
6.0
8.0
10
12
14
16
18
20
I
,POWER
SUPPL
Y
CURRENT
(mA)
CC
I
,INPUT
BIAS
CURRENT
(nA)
IB
RL = 2.0 kW
VCC = 15 V
VEE = Gnd
Gain = -100
RI = 1.0 kW
RF = 100 kW
Input
Output
TA = 25°C
RL =
R
VCC = 30 V
VEE = Gnd
TA = 25°C
CL = 50 pF
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PDF描述 |
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| LM358DRG3 | 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual Op Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
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| LM358DT | 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual Low Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
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