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参数资料
| 型号： | LMH6619MAX/NOPB |
| 厂商： | National Semiconductor |
| 文件页数： | 21/38页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC AMP DUAL RRIO 130MHZ 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | PowerWise® |
| 放大器类型： | 电压反馈 |
| 电路数： | 2 |
| 输出类型： | 满摆幅 |
| 转换速率： | 57 V/µs |
| 增益带宽积： | 58MHz |
| -3db带宽： | 140MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 1.5µA |
| 电压 - 输入偏移： | 100µV |
| 电流 - 电源： | 1.45mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 35mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 2.7 V ~ 11 V，±1.35 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 配用： | 551600075-001-ND - BOARD FOR SOIC LMH6612/19 551600074-001-ND - BOARD FOR SOIC LMH6612/19 |
| 其它名称： | LMH6619MAX |
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2SRFCT
f-3 dB
GBWP
=
CF =
CT
2SRF(GBWP)
NOISE GAIN (NG)
OP AMP OPEN
LOOP GAIN
I-V GAIN (:)
G
AI
N
(d
B)
0 dB
FREQUENCY
1 + sRF (CT + CF)
1 + sRFCF
1 +
CIN
CF
GBWP
fz #
1
2SRFCT
fP =
1
2SRFCF
SNOSAV7E – AUGUST 2007 – REVISED OCTOBER 2012
Figure 72. Bode Plot of Noise Gain Intersecting with Op Amp Open-Loop Gain
Figure 72 shows the bode plot of the noise gain intersecting the op amp open loop gain. With larger values of
gain, CT and RF create a zero in the transfer function. At higher frequencies the circuit can become unstable due
to excess phase shift around the loop.
A pole at fP in the noise gain function is created by placing a feedback capacitor (CF) across RF. The noise gain
slope is flattened by choosing an appropriate value of CF for optimum performance.
Theoretical expressions for calculating the optimum value of CF and the expected 3 dB bandwidth are:
(3)
(4)
Equation 4 indicates that the
3 dB bandwidth of the TIA is inversely proportional to the feedback resistor.
Therefore, if the bandwidth is important then the best approach would be to have a moderate transimpedance
gain stage followed by a broadband voltage gain stage.
Table 3 shows the measurement results of the LMH6618 with different photodiodes having various capacitances
(CPD) and a feedback resistance (RF) of 1 k.
Table 3. TIA (Figure 1) Compensation and Performance Results
CPD
CT
CF CAL
CF USED
f 3 dB CAL
f 3 dB MEAS
Peaking
(pF)
(MHz)
(dB)
22
24
7.7
5.6
23.7
20
0.9
47
49
10.9
10
16.6
15.2
0.8
100
102
15.8
15
11.5
10.8
0.9
222
224
23.4
18
7.81
8
2.9
28
Copyright 2007–2012, Texas Instruments Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| LMH6619QMAK/NOPB | 功能描述:运算放大器 - 运放 Auto Dual 130MHz 1.25mA RRIO Op Amps RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| LMH6619QMAKE/NOPB | 功能描述:运算放大器 - 运放 Auto Dual 130MHz 1.25mA RRIO Op Amps RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| LMH6619QMAKX/NOPB | 功能描述:运算放大器 - 运放 Auto Dual 130MHz 1.25mA RRIO Op Amps RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| LMH6622 | 制造商:NSC 制造商全称:National Semiconductor 功能描述:Dual Wideband, Low Noise, 160MHz, Operational Amplifiers |
| LMH6622MA | 功能描述:运算放大器 - 运放 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
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