- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录2153 > LMH6619MAX/NOPB (National Semiconductor)IC AMP DUAL RRIO 130MHZ 8-SOIC PDF资料下载
参数资料
| 型号： | LMH6619MAX/NOPB |
| 厂商： | National Semiconductor |
| 文件页数： | 7/38页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC AMP DUAL RRIO 130MHZ 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | PowerWise® |
| 放大器类型： | 电压反馈 |
| 电路数： | 2 |
| 输出类型： | 满摆幅 |
| 转换速率： | 57 V/µs |
| 增益带宽积： | 58MHz |
| -3db带宽： | 140MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 1.5µA |
| 电压 - 输入偏移： | 100µV |
| 电流 - 电源： | 1.45mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 35mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 2.7 V ~ 11 V，±1.35 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 配用： | 551600075-001-ND - BOARD FOR SOIC LMH6612/19 551600074-001-ND - BOARD FOR SOIC LMH6612/19 |
| 其它名称： | LMH6619MAX |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页当前第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页
-0
.7
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
R
EL
AT
IVE
F
R
EQ
U
EN
C
Y
(%
)
VOS (mV)
-0.
6
0
-0.
5
0
-0.
4
0
-0.
3
0
-0.
2
0
-0.
1
0
.1
0
.2
0
.3
0
.4
0
.5
0
.6
0
.7
0
2
4
6
8
10
12
VS (V)
-2.0
-1.5
-1.0
I BI
AS
(P
A
)
V
-
= -0.5V
VS = V
+
- V
-
VCM = 0V
-40°C
25°C
125°C
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1
0
0.1
0.2
0.3
V
O
S
(mV)
VS (V)
V
+
= +0.5V
VS = V
+
- V
-
VCM = 0V
-40°C
25°C
125°C
-40
-30
-20
-10
0
10
20
30
40
IOUT (mA)
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
0.2
0.4
0.6
V
O
S
(mV)
V
+
= +2.5V
V
-
= -2.5V
25°C
125°C
-40°C
-0.5
0.5
1.5
2.5
3.5
4.5
5.5
-0.6
-0.5
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1
0
0.1
0.2
0.3
V
O
S
(mV)
VCM (V)
V
+
= +2.5V
V
-
= -2.5V
25°C
-40°C
125°C
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1
0
0.1
0.2
0.3
V
O
S
(mV)
VS (V)
V
-
= -0.5V
VS = V
+
- V
-
VCM = 0V
-40°C
25°C
125°C
SNOSAV7E – AUGUST 2007 – REVISED OCTOBER 2012
TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS (continued)
At TJ = 25°C, AV = +1 (RF = 0), otherwise RF = 2 k for AV ≠ +1, unless otherwise specified.
VOS
vs.
VCM
VS (pnp)
Figure 33.
Figure 34.
VOS
vs.
VS (npn)
IOUT
Figure 35.
Figure 36.
IB
vs.
VOS Distribution (pnp and npn)
VS (pnp)
Figure 37.
Figure 38.
Copyright 2007–2012, Texas Instruments Incorporated
15
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LMH6644MTX/NOPB | IC OP AMP R-R LP 3V 75MA 14TSSOP |
| LMP8270MAX/NOPB | IC AMP PREC VOLT DIFF 8-SOIC |
| LMP8277MAX/NOPB | IC AMP PREC VOLT DIFF 8-SOIC |
| LMV301SQ3T2G | IC OP AMP R-R 1.8V SC70-5 |
| LMV321SQ3T1G | IC OP AMP SGL LV R-R SC-70 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| LMH6619QMAK/NOPB | 功能描述:运算放大器 - 运放 Auto Dual 130MHz 1.25mA RRIO Op Amps RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| LMH6619QMAKE/NOPB | 功能描述:运算放大器 - 运放 Auto Dual 130MHz 1.25mA RRIO Op Amps RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| LMH6619QMAKX/NOPB | 功能描述:运算放大器 - 运放 Auto Dual 130MHz 1.25mA RRIO Op Amps RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| LMH6622 | 制造商:NSC 制造商全称:National Semiconductor 功能描述:Dual Wideband, Low Noise, 160MHz, Operational Amplifiers |
| LMH6622MA | 功能描述:运算放大器 - 运放 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。