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参数资料
| 型号： | LT1317IS8#TRPBF |
| 厂商： | Linear Technology |
| 文件页数： | 11/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG BOOST ADJ 0.5A 8SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 类型： | 升压（升压） |
| 输出类型： | 可调式 |
| 输出数： | 1 |
| 输出电压： | 1.24 V ~ 30 V |
| 输入电压： | 1.5 V ~ 12 V |
| PWM 型： | 电流模式，混合 |
| 频率 - 开关： | 600kHz |
| 电流 - 输出： | 500mA |
| 同步整流器： | 无 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
LT1317/LT1317B
APPLICATIO N S I N FOR M ATIO N
LOW-BATTERY DETECTOR
The LT1317’s low-battery detector is a simple PNP input
gain stage with an open collector NPN output. The nega-
tive input of the gain stage is tied internally to a 200mV
± 5% reference. The positive input is the LBI pin. Arrange-
ment as a low-battery detector is straightforward.
3.3V
Figure 11 details hookup. R1 and R2 need only be low
enough in value so that the bias current of the LBI pin
doesn’t cause large errors. For R2, 100k is adequate. The
200mV reference can also be accessed as shown in
Figure 12. The low-battery detector remains active in
shutdown.
R1
LBI
+
V IN
LT1317
1M
R2
100k
–
LBO
TO PROCESSOR
200mV
INTERNAL
REFERENCE
GND
1317 F11
R1 =
V LB – 200mV
2 μ A
2N3906
V REF
200mV
10k
+
200k
10 μ F
LBO
LBI
V IN
LT1317
GND
1317 F12
Figure 11. Setting Low-Battery Detector Trip Point
TYPICAL APPLICATIO S
Single Li-Ion Cell to 3.3V SEPIC Converter
Figure 12. Accessing 200mV Reference
3.3V SEPIC Efficiency
L1A*
C3
1 μ F
MBR0520
80
75
SINGLE
Li-ION
CELL
(2.7V TO
4.2V)
+
C1
47 μ F
V IN
LT1317
SHDN
V C
33k
SW
FB
GND
L1B*
1M
1%
604k
1%
+
V OUT
3.3V
250mA
C2
47 μ F
70
65
60
55
V IN = 2.7V
V IN = 3.5V
3300pF
V IN = 4.2V
C1, C2: AVX TPSC476M010
C3: AVX 1206YC106KAT
1317 TA03
50
1
10 100
LOAD CURRENT (mA)
1000
* COILTRONICS CTX20-1
1317 TA03a
11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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