参数资料
| 型号： | LTC1660IN |
| 厂商： | Linear Technology |
| 文件页数： | 12/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC D/A CONV 10BIT OCTAL 16-DIP |
| 标准包装： | 25 |
| 设置时间： | 30µs |
| 位数： | 10 |
| 数据接口： | 串行 |
| 转换器数目： | 8 |
| 电压电源： | 单电源 |
| 功率耗散（最大）： | 1mW |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 16-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 16-PDIP |
| 包装： | 管件 |
| 输出数目和类型： | 8 电压，单极；8 电压，双极 |
| 采样率（每秒）： | * |
| 产品目录页面： | 1350 (CN2011-ZH PDF) |
LTC1665/LTC1660
3
166560fa
ELECTRICAL CHARACTERISTICS The l denotes specifications which apply over the full operating
temperature range, otherwise specifications are at TA = 25°C. VCC = 2.7V to 5.5V, VREF ≤ VCC, VOUT unloaded, unless otherwise noted.
The
l denotes specifications which apply over the full operating temperature range, otherwise specifications are at TA = 25°C.
VCC = 2.7V to 5.5V, VREF ≤ VCC, VOUT unloaded, unless otherwise noted.
SYMBOL PARAMETER
CONDITIONS
LTC1665
LTC1660
UNITS
MIN
TYP
MAX
MIN
TYP
MAX
Accuracy
Resolution
l
8
10
Bits
Monotonicity
VREF ≤ VCC – 0.1V (Note 2)
l
8
10
Bits
DNL
Differential Nonlinearity
VREF ≤ VCC – 0.1V (Note 2)
l
± 0.1
±0.5
±0.2
±0.75
LSB
INL
Integral Nonlinearity
VREF ≤ VCC – 0.1V (Note 2)
l
±0.2
±1.0
±0.6
±2.5
LSB
VOS
Offset Error
(Note 7)
l
±10
±30
±10
±30
mV
VOS Temperature Coefficient
l
±15
μV/°C
FSE
Full-Scale Error
VCC = 5V, VREF = 4.096V
l
±1
±4
±3
±15
LSB
Full-Scale Error Temperature Coefficient
l
±30
μV/°C
PSR
Power Supply Rejection
VREF = 2.5V
0.045
0.18
LSB/V
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
Reference Input
Input Voltage Range
l
0VCC
V
Resistance
Not in Sleep Mode
l
35
65
kΩ
Capacitance
(Note 6)
15
pF
IREF
Reference Current
Sleep Mode
l
0.001
1
μA
Power Supply
VCC
Positive Supply Voltage
For Specified Performance
l
2.7
5.5
V
ICC
Supply Current
VCC = 5V (Note 3)
VCC = 3V (Note 3)
Sleep Mode (Note 3)
l
450
340
1
730
530
3
μA
DC Performance
Short-Circuit Current Low
VOUT = 0V, VCC = 5.5V, VREF = 5.1V, Code = Full
Scale
l
10
30
100
mA
Short-Circuit Current High
VOUT = VCC = 5.5V, VREF = 5.1V, Code = 0
l
10
27
120
mA
AC Performance
Voltage Output Slew Rate
Rising (Notes 4, 5)
Falling (Notes 4, 5)
0.60
0.25
V/μs
Voltage Output Settling Time
To ±0.5LSB (Notes 4, 5)
30
μs
Capacitive Load Driving
1000
pF
Digital I/O
VIH
Digital Input High Voltage
VCC = 2.7V to 5.5V
VCC = 2.7V to 3.6V
l
2.4
2.0
V
VIL
Digital Input Low Voltage
VCC = 4.5V to 5.5V
VCC = 2.7V to 5.5V
l
0.8
0.6
V
VOH
Digital Output High Voltage
IOUT = –1mA, DOUT Only
l
VCC – 1
V
VOL
Digital Output Low Voltage
IOUT = 1mA, DOUT Only
l
0.4
V
ILK
Digital Input Leakage
VIN = GND to VCC
l
±10
μA
CIN
Digital Input Capacitance
(Note 6)
l
10
pF
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