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参数资料
| 型号： | LTC3670EDDB#TRMPBF |
| 厂商： | Linear Technology |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 210K |
| 描述： | IC REG TRPL BCK/LINEAR 12DFN |
| 标准包装： | 500 |
| 拓扑： | 降压（降压）同步（1），线性（LDO）（2） |
| 功能： | 任何功能 |
| 输出数： | 3 |
| 频率 - 开关： | 2.25MHz |
| 电压/电流 - 输出 1： | 可调至0.8V，400mA |
| 电压/电流 - 输出 2： | 可调至0.8V，150mA |
| 电压/电流 - 输出 3： | 可调至0.8V，150mA |
| 带 LED 驱动器： | 无 |
| 带监控器： | 无 |
| 带序列发生器： | 无 |
| 电源电压： | 2.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 12-WFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 12-DFN-EP（3x2） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | LTC3670EDDB#PBF |
LTC3670
3
3670f
Note 1: Stresses beyond those listed under Absolute Maximum Ratings
may cause permanent damage to the device. Exposure to any Absolute
Maximum Rating condition for extended periods may affect device
reliability and lifetime.
Note 2: This IC includes overtemperature protection that is intended
to protect the device during momentary overload conditions. Junction
temperatures will exceed 125癈 when overtemperature protection is
active. Continuous operation above the speci ed maximum operating
junction temperature may result in device degradation or failure.
Note 3: The LTC3670 is guaranteed to meet performance speci cations
from 0癈 to 85癈. Speci cations over the 40癈 to 85癈 operating
temperature range are assured by design, characterization and correlation
with statistical process controls.
Note 4: Dynamic supply current is higher due to the gate charge delivered
to the buck regulators internal MOSFET switches at the switching
frequency.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
The l denotes the speci cations which apply over the full operating
temperature range, otherwise speci cations are at T
A
= 25癈. V
IN
= 3.6V, unless otherwise noted.
SYMBOL PARAMETER
CONDITIONS
MIN TYP MAX UNITS
Synchronous Buck Regulator
f
OSC
Oscillator Frequency
1.91 2.25 2.59 MHz
V
BUCKFB
Buck Regulated Feedback Voltage
l 0.78 0.8 0.82
V
I
BUCKFB
Feedback Pin Input Bias Current
l
?0
nA
I
MAXP
PMOS Switch Maximum Peak Current (Note 6)
600 800 1100 mA
R
P(BUCK)
PMOS Switch On-Resistance
0.6
?/DIV>
R
N(BUCK)
NMOS Switch On-Resistance
0.7
?/DIV>
R
PD(BUCK)
SW Pin Pull-Down Resistance in Shutdown
10
k?/DIV>
t
SS(BUCK)
Soft-Start Time
0.6
ms
Each LDO Regulator
V
LDO
LDO Regulated Feedback Voltage
LDO Output, I
LDO
= 1mA to 150mA
l
0.78 0.8 0.82
V
LDO Line Regulation (Note 7)
I
LDO
= 1mA, V
IN
= 2.5V to 5.5V
0.25
mV/V
LDO Load Regulation (Note 7)
I
LDO
= 1mA to 150mA
5
糣/mA
I
LDO_FB
Feedback Pin Input Bias Current
l
?0
nA
Short-Circuit Output Current (Note 6)
420
mA
V
DROP
Dropout Voltage (Note 8)
I
LDO
= 150mA
V
IN
= 3.6V
V
IN
= 2.5V
150
200
200
300
mV
mV
t
SS(LDO)
Soft-Start Time
0.1
ms
R
PD(LDO)
Output Pull-Down Resistance in Shutdown
10
k?/DIV>
Note 5: PGOOD threshold is expressed as a percentage of the feedback
regulation voltage. The threshold is measured for the feedback pin voltage
rising.
Note 6: The current limit features are intended to protect the IC from
short term or intermittent fault conditions. Prolonged operation above
the speci ed Absolute Maximum pin current rating may result in device
degradation or failure.
Note 7: Measured with the LDO running unity gain, with output tied to
feedback pin.
Note 8: Dropout voltage is the minimum input to output voltage differential
needed for an LDO to maintain regulation at a speci ed output current.
When an LDO is in dropout, its output voltage will be equal to:
V
IN
V
DROP
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