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参数资料
| 型号： | LTC3808EGN |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 稳压器 |
| 英文描述： | SWITCHING CONTROLLER, PDSO8 |
| 封装： | PLASTIC, MS-012-AA, SOT-96-1, SO-8 |
| 文件页数： | 10/16页 |
| 文件大小： | 85K |
| 代理商： | LTC3808EGN |
1998 Mar 24
3
Philips Semiconductors
Preliminary specication
High efciency DC/DC converter
TEA1205AT
QUICK REFERENCE DATA
Note
1. The NFET current limit is set by an external 1% accurate resistor Rlim connected between pin 7 and pin 6 (ground).
The typical maximum instantaneous current is defined as: Ilim = 890 V/ Rlim so the use of Rlim = 315 will lead to a
typical maximum current value of 2.83 A. The average inductor current during current limit also depends on
inductance value and resistive losses in all components in the power path. In normal application and when using
Rlim = 315 , the average inductor current will be limited to 2.3 A typical.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Supplies
VO
output voltage
VSEL = LOW
5.23
5.55
5.85
V
VSEL = HIGH
3.13
3.34
3.54
V
Vstart
start-up voltage
1.6
2.0
2.2
V
Efciency; see Figs 6 and 7
η
efciency
up from 2.4 to 3.3 V
1 mA < IL < 1.0 A
809095%
up from 3.6 to 5.5 V
1 mA < IL < 1.0 A
839094%
Current levels
Iq
quiescent current at pin 3
50
60
70
A
ISHDWN
shut-down current
210
A
IlimN
NFET current limit
note 1
0.9 Ilim
Ilim
1.1 Ilim
A
Ilx
max. continuous current at pin 5
1.0
A
Power MOSFETS
RdsON(N)
pin-to-pin resistance NFET
0.08
0.12
0.20
RdsON(P)
pin-to-pin resistance PFET
0.10
0.16
0.25
Timing
fsw
switching frequency
150
200
240
kHz
tres
response time from standby to Pmax
25
s
fsync
synchronisation input frequency
13
MHz
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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