参数资料
型号: LTC3808EGN
厂商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分类: 稳压器
英文描述: SWITCHING CONTROLLER, PDSO8
封装: PLASTIC, MS-012-AA, SOT-96-1, SO-8
文件页数: 15/16页
文件大小: 85K
代理商: LTC3808EGN
1998 Mar 24
8
Philips Semiconductors
Preliminary specication
High efciency DC/DC converter
TEA1205AT
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1. Human body model: equivalent to discharging a 100 pF capacitor through a 1.5 k
series resistor.
THERMAL CHARACTERISTICS
QUALITY SPECIFICATION
In accordance with
“SNW-FQ-611 part E”. The numbers of the quality specification can be found in the “Quality
Reference Handbook”. The handbook can be ordered using the code 9397 750 00192.
CHARACTERISTICS
Tj = 20 to +80 °C; all voltages with respect to ground; positive currents flow into the IC; unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
Vn
voltage on any pin
shut-down mode
0.2
+6.5
V
operational mode
0.2
+5.9
V
Tj
junction temperature
25
+150
°C
Tamb
operating ambient temperature
40
+80
°C
Tstg
storage temperature
65
+125
°C
Ves
electrostatic handling
note 1
3000
+3000
V
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
Rth(j-a)
thermal resistance from junction to ambient
in free air
150
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Supplies
VO
output voltage
VSEL = LOW
5.23
5.55
5.85
V
VSEL = HIGH
3.13
3.34
3.54
V
Vstart
start-up voltage
1.6
2.0
2.2
V
Efciency
η
efciency
up from 2.4 to 3.3 V
1 mA < IL < 1.0 A
8090
95%
up from 3.6 to 5.5 V
1 mA < IL < 1.0 A
8390
94%
Current levels
Iq
quiescent current at pin 3
50
60
70
A
ISHDWN
shut-down current
210
A
IlimN
NFET current limit
note 1
0.9 Ilim
Ilim
1.1 Ilim
A
Ilx
max. continuous current at pin 5
1.0
A
Power MOSFETS
RdsON(N)
pin-to-pin resistance NFET
0.08
0.12
0.20
RdsON(P)
pin-to-pin resistance PFET
0.10
0.16
0.25
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