参数资料
| 型号： | LTC6416IDDB#TRPBF |
| 厂商： | Linear Technology |
| 文件页数： | 20/20页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DIFF 16BIT BUFFER 10-DFN |
| 标准包装： | 2,500 |
| 放大器类型： | 缓冲器 |
| 电路数： | 1 |
| 输出类型： | 差分 |
| 转换速率： | 3400 V/µs |
| -3db带宽： | 2GHz |
| 电流 - 输入偏压： | 5µA |
| 电压 - 输入偏移： | 500µV |
| 电流 - 电源： | 42mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 20mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 2.7 V ~ 3.9 V，±1.35 V ~ 1.95 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 10-WFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 10-DFN-EP（3x2） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
LTC6416
9
6416f
Supply Current vs Supply Voltage
TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS
Noise Figure and Input Referred
Noise Voltage vs Frequency
PSRR vs Frequency
SUPPLY VOLTAGE (V)
6416 G16
0
2.5
1.5
3.5
4.0
2.0
1.0
3.0
0.5
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
SUPPL
Y
CURRENT
(mA)
FREQUENCY (Hz)
INPUT
REFERRED
NOISE
VOL
TAGE
(nV
√
Hz
)
NOISE
FIGURE
(dB)
6416 G17
14
10
12
8
6
4
2
0
14
10
12
8
6
4
2
0
1k
10k
100k
100M
1G
10M
1M
eN
NF
Positive Overdrive Recovery
(VCLHI Pin)
200mV/DIV
6416 G18
20ns/DIV
IN+
OUT+
Negative Overdrive Recovery
(VCLLO Pin)
6416 G19
20ns/DIV
200mV/DIV
IN+
OUT+
6416 G30
500ps/DIV
10mV/DIV
Small Signal Transient Response,
Rising Edge
FREQUENCY (MHz)
0
AMPLITUDE
(dBFS)
60
6416 G20
–130
–120
–110
–100
–90
–80
–70
–60
–50
–40
–30
–20
–10
10
30
3
2
20
40
50
0
V+ = 3.6V
HD2 = –104.9dBc
HD3 = –86.1dBc
SFDR = 86.05dB
SNR = 76.5dB
SEE FIGURE 5/
TABLE 1
1:1 BALUN
FREQUENCY (MHz)
0
AMPLITUDE
(dBFS)
60
6416 G21
–130
–120
–110
–100
–90
–80
–70
–60
–50
–40
–30
–20
–10
10
30
20
40
50
0
V+ = 3.6V
HD2 = –101.9dBc
HD3 = –96.2dBc
SFDR = 96.2dBc
SNR = 74.2dB
SEE FIGURE 5/
TABLE 1
1:1 BALUN
3
2
LTC6416 Driving LTC2208 16-Bit
ADC, 64K Point FFT, fIN = 30MHz,
–1dBFS, PGA = 0
LTC6416 Driving LTC2208 16-Bit
ADC, 64K Point FFT, fIN = 30MHz,
–1dBFS, PGA = 1
6416 G31
500ps/DIV
10mV/DIV
Small Signal Transient Response,
Falling Edge
0.1
1
40
60
70
80
50
1000
6416 G29
30
0
10
20
10
100
90
V+ = 3.6V
FREQUENCY (MHz)
PSRR
(dB)
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