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参数资料
| 型号： | M28W160BT856T |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 16兆位（1兆x16插槽，引导块）3V电源快闪记忆体 |
| 文件页数： | 36/45页 |
| 文件大小： | 343K |
| 代理商： | M28W160BT856T |
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M28W160BT, M28W160BB
36/45
Table 26. CFI Query System Interface Information
Offset
Data
Description
Value
1Bh
0027h
V
DD
Logic Supply Minimum Program/Erase or Write voltage
bit 7 to 4
BCD value in volts
bit 3 to 0
BCD value in 100 mV
2.7V
1Ch
0036h
V
DD
Logic Supply Maximum Program/Erase or Write voltage
bit 7 to 4
BCD value in volts
bit 3 to 0
BCD value in 100 mV
3.6V
1Dh
00B4h
V
PP
[Programming] Supply Minimum Program/Erase voltage
bit 7 to 4
HEX value in volts
bit 3 to 0
BCD value in 100 mV
11.4V
1Eh
00C6h
V
PP
[Programming] Supply Maximum Program/Erase voltage
bit 7 to 4
HEX value in volts
bit 3 to 0
BCD value in 100 mV
12.6V
1Fh
0004h
Typical timeout per single word program = 2
n
μs
16μs
20h
0004h
Typical timeout for Double Word Program = 2
n
μs
16μs
21h
000Ah
Typical timeout per individual block erase = 2
n
ms
1 s
22h
0000h
Typical timeout for full chip erase = 2
n
ms
NA
23h
0005h
Maximum timeout for word program = 2
n
times typical
512μs
24h
0005h
Maximum timeout for Double Word Program = 2
n
times typical
512μs
25h
0003h
Maximum timeout per individual block erase = 2
n
times typical
8 s
26h
0000h
Maximum timeout for chip erase = 2
n
times typical
NA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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