参数资料
型号: M28W160ECT85ZB6E
厂商: 意法半导体
英文描述: 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
中文描述: 16兆位(1兆x16插槽,引导块)3V电源快闪记忆体
文件页数: 6/50页
文件大小: 860K
代理商: M28W160ECT85ZB6E
M28W160ECT, M28W160ECB
6/50
Figure 2. Logic Diagram
Table 1. Signal Names
Figure 3. TSOP Connections
AI07542
20
A0-A19
W
DQ0-DQ15
VDD
M28W160ECT
M28W160ECB
E
VSS
16
G
RP
WP
VDDQVPP
A0-A19
Address Inputs
DQ0-DQ15
Data Input/Output
E
Chip Enable
G
Output Enable
W
Write Enable
RP
Reset
WP
Write Protect
V
DD
Core Power Supply
V
DDQ
Power Supply for Input/Output
V
PP
Optional Supply Voltage for
Fast Program & Erase
V
SS
Ground
NC
Not Connected Internally
DQ3
DQ10
DQ9
DQ1
DQ2
A6
A5
DQ0
G
VSS
W
RP
A3
A2
A1
NC
NC
DQ6
DQ13
DQ5
A8
A9
A17
A7
A10
DQ14
DQ12
DQ4
DQ15
DQ7
VDD
DQ11
VPP
WP
A19
A18
AI07543
M28W160ECT
M28W160ECB
12
13
1
24
25
36
37
48
DQ8
A4
A12
A11
A13
A16
VDDQ
VSS
A15
A14
E
A0
相关PDF资料
PDF描述
M28W160ECT85ZB6F 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M28W160ECT90ZB6T 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M28W160ECT90ZB6U 18-fold ESD transient voltage suppressor - C<sub>d</sub> max.: 120 pF; I<sub>RM</sub> max: 2A; Number of protected lines: 18 ; P<sub>PP</sub> max: 0 W; V<sub>BR</sub> typ.: 6.8 V; V<sub>RWM</sub>: 5.25 V
M28W160B-GBT 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M28W160B-ZBT 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
相关代理商/技术参数
参数描述
M28W160ECT85ZB6F 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M28W160ECT85ZB6S 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M28W160ECT85ZB6T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M28W160ECT85ZB6U 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M28W160ECT90N1 制造商:NUMONYX 制造商全称:Numonyx B.V 功能描述:16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory