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参数资料
| 型号： | M28W160ECT90ZB6T |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 16兆位（1兆x16插槽，引导块）3V电源快闪记忆体 |
| 文件页数： | 14/50页 |
| 文件大小： | 860K |
| 代理商： | M28W160ECT90ZB6T |
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M28W160ECT, M28W160ECB
14/50
Table 3. Commands
Note: 1. X = Don't Care.
2. The signature addresses are listed in Tables
4
,
5
and
6
.
3. Addr 1 and Addr 2 must be consecutive Addresses differing only for A0.
Table 4. Read Electronic Signature
Note:
RP = V
IH
.
Commands
No. of
Cycles
Bus Write Operations
1st Cycle
2nd Cycle
3nd Cycle
Bus
Op.
Addr
Data
Bus
Op.
Addr
Data
Bus
Op.
Addr
Data
Read Memory Array
1+
Write
X
FFh
Read
Read
Addr
Data
Read Status Register
1+
Write
X
70h
Read
X
Status
Register
Read Electronic Signature
1+
Write
X
90h
Read
Signature
Addr
(2)
Signature
Read CFI Query
1+
Write
X
98h
Read
CFI Addr
Query
Erase
2
Write
X
20h
Write
Block
Addr
D0h
Program
2
Write
X
40h or
10h
Write
Addr
Data Input
Double Word Program
(3)
3
Write
X
30h
Write
Addr 1
Data Input
Write
Addr 2
Data
Input
Clear Status Register
1
Write
X
50h
Program/Erase Suspend
1
Write
X
B0h
Program/Erase Resume
1
Write
X
D0h
Block Lock
2
Write
X
60h
Write
Block
Address
01h
Block Unlock
2
Write
X
60h
Write
Block
Address
D0h
Block Lock-Down
2
Write
X
60h
Write
Block
Address
2Fh
Protection Register
Program
2
Write
X
C0h
Write
Address
Data Input
Code
Device
E
G
W
A0
A1
A2-A7
A8-A19
DQ0-DQ7
DQ8-DQ15
Manufacture.
Code
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
0
Don't Care
20h
00h
Device Code
M28W160ECT
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
0
Don't Care
CEh
88h
M28W160ECB
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
0
Don't Care
CFh
88h
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M28W160ECT90ZB6U | 18-fold ESD transient voltage suppressor - C<sub>d</sub> max.: 120 pF; I<sub>RM</sub> max: 2A; Number of protected lines: 18 ; P<sub>PP</sub> max: 0 W; V<sub>BR</sub> typ.: 6.8 V; V<sub>RWM</sub>: 5.25 V |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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