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参数资料
| 型号： | M29F200BB70MT3 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 128K X 16 FLASH 5V PROM, 70 ns, PDSO44 |
| 封装： | 0.500 INCH, PLASTIC, SO-44 |
| 文件页数： | 1/29页 |
| 文件大小： | 583K |
| 代理商： | M29F200BB70MT3 |
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September 2005
M29F200BT
M29F200BB
2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block)
Single Supply Flash Memory
FEATURES SUMMARY
■
SINGLE 5V±10% SUPPLY VOLTAGE for
PROGRAM, ERASE and READ
OPERATIONS
■
ACCESS TIME: 45, 50, 70, 90ns
■
PROGRAMMING TIME
–
8s per Byte/Word typical
■
7 MEMORY BLOCKS
–
1 Boot Block (Top or Bottom Location)
–
2 Parameter and 4 Main Blocks
■
PROGRAM/ERASE CONTROLLER
–
Embedded Byte/Word Program algorithm
–
Embedded Multi-Block/Chip Erase
algorithm
–
Status Register Polling and Toggle Bits
–
Ready/Busy Output Pin
■
ERASE SUSPEND and RESUME MODES
–
Read and Program another Block during
Erase Suspend
■
UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND
–
Faster Production/Batch Programming
■
TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION
MODE
■
LOW POWER CONSUMPTION
–
Standby and Automatic Standby
■
100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per
BLOCK
■
20 YEARS DATA RETENTION
–
Defectivity below 1 ppm/year
■
ELECTRONIC SIGNATURE
–
Manufacturer Code: 0020h
–
Top Device Code M29F200BT: 00D3h
–
Bottom Device CodeM29F200BB: 00D4h
■
ECOPACK PACKAGES AVAILABLE
Figure 1. Packages
44
1
TSOP48 (N)
12 x 20mm
SO44 (MT)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29F400BT45M1E | 256K X 16 FLASH 5V PROM, 45 ns, PDSO44 |
| M29F400FB55M3F2 | 256K X 16 FLASH 5V PROM, 55 ns, PDSO44 |
| M29F400FB5AN6F2 | 256K X 16 FLASH 5V PROM, 55 ns, PDSO48 |
| M29W800B-120N5RTR | 1M X 8 FLASH 3V PROM, 120 ns, PDSO48 |
| M29W800T-150M6 | 1M X 8 FLASH 3V PROM, 150 ns, PDSO44 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M29F200BB70N1 | 功能描述:闪存 256Kx8 or 128Kx16 70 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29F200BB70N1T | 功能描述:闪存 256Kx8 or 128Kx16 70 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29F200BB70N3 | 功能描述:闪存 256Kx8 or 128Kx16 70 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29F200BB70N6 | 功能描述:闪存 256Kx8 or 128Kx16 70 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29F200BB70N6E | 功能描述:IC FLASH 2MBIT 70NS 48TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13） 包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2 |
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