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参数资料
| 型号： | M29W800B-120N5RTR |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 1M X 8 FLASH 3V PROM, 120 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 20 MM, REVERSE, TSOP-48 |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 82K |
| 代理商： | M29W800B-120N5RTR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29W800T-150M6 | 1M X 8 FLASH 3V PROM, 150 ns, PDSO44 |
| M29W800FB9N3F | 512K X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO48 |
| M2CT-90A1-24ER | PUSHBUTTON SWITCH, DPST, MOMENTARY, PANEL MOUNT-THREADED |
| M2S56D30AKT-75 | 32M X 8 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO64 |
| M2V56S30ATP-6 | 32M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M29W800DB45N6E | 功能描述:闪存 8 MBIT (1MB) 3V SUPPLY RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29W800DB45N6F | 功能描述:闪存 STD FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29W800DB45ZE6E | 功能描述:闪存 8 MBIT (1MB) 3V SUPPLY RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29W800DB45ZE6F | 功能描述:闪存 STD FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29W800DB45ZE6F TR | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 8MBIT 45NS 48TFBGA |
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