参数资料
型号: M29F400BT70MT6T
厂商: NUMONYX
元件分类: PROM
英文描述: 256K X 16 FLASH 5V PROM, 70 ns, PDSO44
封装: 0.500 INCH, PLASTIC, SOP-44
文件页数: 22/40页
文件大小: 316K
代理商: M29F400BT70MT6T
M29F400BT, M29F400BB
DC and AC parameters
Figure 7.
AC testing load circuit
Table 10.
Capacitance(1) (2)
1.
TA = 25 °C, f = 1 MHz
2.
Sampled only, not 100% tested.
Symbol
Parameter
Test Condition
Min
Max
Unit
CIN
Input Capacitance
VIN = 0V
6
pF
COUT
Output Capacitance
VOUT = 0V
12
pF
AI03027
1.3V
OUT
CL = 30pF or 100pF
CL includes JIG capacitance
3.3k
1N914
DEVICE
UNDER
TEST
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PDF描述
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参数描述
M29F400BT70N1 功能描述:闪存 512Kx8 or 256Kx16 70 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel
M29F400BT70N6 功能描述:闪存 512Kx8 or 256Kx16 70 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel
M29F400BT70N6E 功能描述:闪存 4MBIT EEPROM RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel
M29F400BT90M1 功能描述:闪存 512Kx8 or 256Kx16 90 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel
M29F400BT90N1 功能描述:闪存 512Kx8 or 256Kx16 90 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel