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参数资料
| 型号： | M29F800DB70N3F |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 512K X 16 FLASH 5V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件页数： | 1/39页 |
| 文件大小： | 622K |
| 代理商： | M29F800DB70N3F |
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FEATURES SUMMARY
s
SUPPLY VOLTAGE
–VCC = 5V ±10% for Program, Erase and Read
s
ACCESS TIME: 55, 70, 90ns
s
PROGRAMMING TIME
– 10s per Byte/Word typical
s
19 MEMORY BLOCKS
– 1 Boot Block (Top or Bottom Location)
– 2 Parameter and 16 Main Blocks
s
PROGRAM/ERASE CONTROLLER
– Embedded Byte/Word Program algorithms
s
ERASE SUSPEND and RESUME MODES
– Read and Program another Block during
Erase Suspend
s
UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND
– Faster Production/Batch Programming
s
TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION
MODE
s
COMMON FLASH INTERFACE
– 64 bit Security Code
s
LOW POWER CONSUMPTION
– Standby and Automatic Standby
s
100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per
BLOCK
s
ELECTRONIC SIGNATURE
– Manufacturer Code: 0020h
– Top Device Code M29F800DT: 22ECh
– Bottom Device Code M29F800DB: 2258h
Figure 1. Packages
TSOP48 (N)
12 x 20mm
SO44 (M)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29F800DB90N6T | 512K X 16 FLASH 5V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| M29W160BT90ZA6 | 1M X 16 FLASH 2.7V PROM, 90 ns, PBGA48 |
| M29W400BT70M6T | 256K X 16 FLASH 2.7V PROM, 70 ns, PDSO44 |
| M29W640GB70ZA6F | 4M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PBGA48 |
| M2Y51264TU88A2G-37B | 64M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.5 ns, DMA240 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M29F800DB70N6 | 功能描述:闪存 1Mx8 or 512Kx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29F800DB70N6E | 功能描述:闪存 STD FLASH 8 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29F800DB70N6F | 功能描述:闪存 STD FLASH 8 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29F800DB70N6T | 功能描述:闪存 1Mx8 or 512Kx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29F800DT55M1 | 功能描述:闪存 SO-44 1MX8/512KX16 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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