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参数资料
| 型号： | M29W200BT90N6 |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | 2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 2兆位（256Kb的x8或128KB的x16插槽，引导块）低电压单电源闪存 |
| 文件页数： | 22/22页 |
| 文件大小： | 175K |
| 代理商： | M29W200BT90N6 |
M29W200BT, M29W200BB
22/22
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29W200BT90N6E | 2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory |
| M29W200BT90N6F | 2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory |
| M29W400T | 4Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory(4M位闪速存储器) |
| M29W800AB | 8Mbit(1Mbx8 or 512Kbx16, Block Erase) Low Voltage Single Supply Flash Memory(8Mb闪速存储器) |
| M29W800B | 8Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory(8Mb低压闪速存储器) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M29W256G7AN6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:AUTOMOTIVE - Trays |
| M29W256GH70N3E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:AUTOMOTIVE - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 256MBIT 70NS 56TSOP |
| M29W256GH70N6E | 功能描述:IC FLASH 256MBIT 70NS 56TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:Axcell™ 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| M29W256GH70N6F | 功能描述:IC FLASH 256MBIT 70NS 56TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:Axcell™ 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
| M29W256GH70ZA6E | 功能描述:IC FLASH 256MBIT 70NS 64TBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:Axcell™ 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
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