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参数资料
| 型号： | M29W400BT70M6T |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 256K X 16 FLASH 2.7V PROM, 70 ns, PDSO44 |
| 封装： | 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-44 |
| 文件页数： | 8/26页 |
| 文件大小： | 313K |
| 代理商： | M29W400BT70M6T |
M29W400BT, M29W400BB
16/25
Figure 10. Write AC Waveforms, Write Enable Controlled
AI01869C
E
G
W
A0-A17/
A–1
DQ0-DQ7/
DQ8-DQ15
VALID
VCC
tVCHEL
tWHEH
tWHWL
tELWL
tAVWL
tWHGL
tWLAX
tWHDX
tAVAV
tDVWH
tWLWH
tGHWL
RB
tWHRL
Table 15. Write AC Characteristics, Write Enable Controlled
(TA = 0 to 70°C or –40 to 85°C)
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
Symbol
Alt
Parameter
M29W400B
Unit
55
70
90 / 120
tAVAV
tWC
Address Valid to Next Address Valid
Min
55
70
90
ns
tELWL
tCS
Chip Enable Low to Write Enable Low
Min
0
ns
tWLWH
tWP
Write Enable Low to Write Enable High
Min
40
45
ns
tDVWH
tDS
Input Valid to Write Enable High
Min
25
30
45
ns
tWHDX
tDH
Write Enable High to Input Transition
Min
0
ns
tWHEH
tCH
Write Enable High to Chip Enable High
Min
0
ns
tWHWL
tWPH
Write Enable High to Write Enable Low
Min
30
ns
tAVWL
tAS
Address Valid to Write Enable Low
Min
0
ns
tWLAX
tAH
Write Enable Low to Address Transition
Min
40
45
ns
tGHWL
Output Enable High to Write Enable Low
Min
0
ns
tWHGL
tOEH
Write Enable High to Output Enable Low
Min
0
ns
tWHRL
(1)
tBUSY
Program/Erase Valid to RB Low
Max
30
35
ns
tVCHEL
tVCS
VCC High to Chip Enable Low
Min
505050
s
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29W640GB70ZA6F | 4M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PBGA48 |
| M2Y51264TU88A2G-37B | 64M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.5 ns, DMA240 |
| M30-1201100 | 22 CONTACT(S), FEMALE, TWO PART BOARD CONNECTOR, CRIMP |
| M30-6000206R | 2 CONTACT(S), MALE, STRAIGHT TWO PART BOARD CONNECTOR, SURFACE MOUNT |
| M30-6000306R | 3 CONTACT(S), MALE, STRAIGHT TWO PART BOARD CONNECTOR, SURFACE MOUNT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M29W400BT70N1 | 功能描述:闪存 512Kx8 or 256Kx16 70 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29W400BT70N6 | 功能描述:闪存 512Kx8 or 256Kx16 70 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29W400BT90M1 | 功能描述:闪存 512Kx8 or 256Kx16 90 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29W400BT90M1T | 功能描述:闪存 512Kx8 or 256Kx16 90 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29W400BT90N1 | 功能描述:闪存 512Kx8 or 256Kx16 90 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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