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参数资料
| 型号： | M29W800AB100ZA5T |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | 8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 8兆1兆x8或512KB的x16插槽，引导块低压单电源闪存 |
| 文件页数： | 14/33页 |
| 文件大小： | 234K |
| 代理商： | M29W800AB100ZA5T |
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M29W800AT, M29W800AB
14/33
Table 15. Read AC Characteristics
(T
A
= 0 to 70
°
C, –20 to 85
°
C or –40 to 85
°
C)
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
2. G may be delayed by up to t
ELQV
- t
GLQV
after the falling edge of E without increasing t
ELQV
.
3. To be considered only if the Reset pulse is given while the memory is in Erase or Program mode.
Symbol
Alt
Parameter
Test
Condition
M29W800AT / M29W800AB
Unit
80
90
V
CC
= 3.0V to 3.6V
CL = 30pF
V
CC
= 3.0V to 3.6V
CL = 30pF
Min
Max
Min
Max
t
AVAV
t
RC
Address Validto Next
Address Valid
E = V
IL,
G = V
IL
80
90
ns
t
AVQV
t
ACC
Address Validto Output
Valid
E = V
IL,
G = V
IL
80
90
ns
t
AXQX
t
OH
Address Transition to
Output Transition
E = V
IL,
G = V
IL
0
0
ns
t
BHQV
t
FHQV
BYTE Switching High to
Output Valid
50
50
ns
t
BLQZ
t
FLQZ
BYTE Switching Low to
Output High Z
50
50
ns
t
EHQX
t
OH
Chip Enable High to Output
Transition
G = V
IL
0
0
ns
t
EHQZ(1)
t
HZ
Chip Enable High to Output
Hi-Z
G = V
IL
30
30
ns
t
ELBH
t
ELBL
t
ELFH
t
ELFL
Chip Enable to BYTE
Switching Low or High
5
5
ns
t
ELQV(2)
t
CE
Chip Enable Low to Output
Valid
G = V
IL
80
90
ns
t
ELQX(1)
t
LZ
Chip Enable Low to Output
Transition
G = V
IL
0
0
ns
t
GHQX
t
OH
Output Enable High to
Output Transition
E = V
IL
0
0
ns
t
GHQZ(1)
t
DF
Output Enable High to
Output Hi-Z
E = V
IL
30
30
ns
t
GLQV(2)
t
OE
Output Enable Low to
Output Valid
E = V
IL
35
35
ns
t
GLQX(1)
t
OLZ
Output Enable Low to
Output Transition
E = V
IL
0
0
ns
t
PHEL
t
RH
RP High to Chip Enable
Low
50
50
ns
t
PLYH(1, 3)
t
RRB
t
READY
RP Low to Read Mode
10
10
μ
s
t
PLPX
t
RP
RP Pulse Width
500
500
ns
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