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参数资料
| 型号： | M29W800AB100ZA5T |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | 8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 8兆1兆x8或512KB的x16插槽，引导块低压单电源闪存 |
| 文件页数： | 32/33页 |
| 文件大小： | 234K |
| 代理商： | M29W800AB100ZA5T |
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M29W800AT, M29W800AB
32/33
Figure 18. LFBGA48 - 8 x 6 balls, 0.8 mm pitch, Bottom View Package Outline
Drawing is not to scale.
E1
E
D1
D
e
b
A2
A1
A
BGA-Z00
ddd
FD
FE
SD
SE
BALL ”A1”
Table 29. LFBGA48 - 8 x 6 balls, 0.8 mm pitch, Package Mechanical Data
Symbol
mm
inch
Typ
Min
Max
Typ
Min
Max
A
1.350
0.0531
A1
0.300
0.200
0.350
0.0118
0.0079
0.0138
A2
0.750
1.000
0.0295
0.0394
b
0.300
0.550
0.0118
0.0217
D
9.000
8.800
9.200
0.3543
0.3465
0.3622
D1
5.600
–
–
0.2205
–
–
ddd
0.150
0.0059
e
0.800
–
–
0.0315
–
–
E
6.000
5.800
6.200
0.2362
0.2283
0.2441
E1
4.000
–
–
0.1575
–
–
FD
1.700
–
–
0.0669
–
–
FE
1.000
–
–
0.0394
–
–
SD
0.400
–
–
0.0157
–
–
SE
0.400
–
–
0.0157
–
–
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| M29W800AT100ZA5T | 8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M29W800AB120M1 | 功能描述:闪存 1Mx8 or 512Kx16 120n RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29W800AB120N1 | 功能描述:闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29W800AB-120N1 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述: |
| M29W800AB120N6 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 8MBIT 1MX8/512KX16 120NS 48TSOP - Trays |
| M29W800AB120ZA6 | 功能描述:闪存 LFBGA48 1MX8 512KX16 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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