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参数资料
| 型号： | M29W800AT100ZA5T |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | 8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 8兆1兆x8或512KB的x16插槽，引导块低压单电源闪存 |
| 文件页数： | 13/33页 |
| 文件大小： | 234K |
| 代理商： | M29W800AT100ZA5T |
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M29W800AT, M29W800AB
Figure 5. AC Testing Input Output Waveform
AI01417
3V
0V
1.5V
Figure 6. AC Testing Load Circuit
AI01968
0.8V
OUT
CL= 30pF or 100pF
CLincludes JIG capacitance
3.3k
1N914
DEVICE
UNDER
TEST
Table 13. Capacitance
(1)
(T
A
= 25
°
C, f = 1 MHz)
Symbol
Parameter
Note: Sampled only, not 100% tested.
Table 14. DC Characteristics
(T
A
= 0 to 70
°
C, –20 to 85
°
C or –40 to 85
°
C; V
CC
= 2.7V to 3.6V)
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
Test Condition
Min
Max
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0V
6
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0V
12
pF
Symbol
Parameter
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
I
LI
Input Leakage Current
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
±
1
μ
A
I
LO
Output Leakage Current
0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
±
1
μ
A
I
CC1
Supply Current (Read by Word)
E = V
IL
, G = V
IH
, f = 6MHz
3
10
mA
I
CC2
Supply Current (Read by Word)
E = V
IL
, G = V
IL
, f = 6MHz
4.5
10
mA
I
CC3
Supply Current (Stan-by)
E = V
CC
±
0.2V
30
100
μ
A
I
CC4(1)
Supply Current
(Program or Erase)
Byte program, Block or
Chip Erase in progress
20
mA
V
IL
Input Low Voltage
–0.5
0.8
V
V
IH
Input High Voltage
0.7 V
CC
V
CC
+ 0.3
V
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= 1.8mA
0.45
V
V
OH
Output High Voltage CMOS
I
OH
= –100
μ
A
V
CC
–0.4V
V
V
ID
A9 Voltage (Electronic Signature)
11.5
12.5
V
I
ID
A9 Current (Electronic Signature)
A9 = V
ID
30
100
μ
A
V
LKO(1)
Supply Voltage (Erase and
Program lock-out)
2.0
2.3
V
Table 12. AC Measurement Conditions
Input Rise and Fall Times
≤
10ns
Input Pulse Voltages
0 to 3V
Input and Output Timing Ref. Voltages
1.5V
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| M29W800AT120N6 | 功能描述:闪存 STD FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29W800AT120ZA6 | 功能描述:闪存 LFBGA48 1MX8 512KX16 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29W800AT80N1 | 功能描述:闪存 1Mx8 or 512Kx16 80ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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