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参数资料
| 型号： | M29W800AT120M1T |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | Low-Power Single Schmitt-Trigger Buffer 5-DSBGA -40 to 85 |
| 中文描述： | 8兆1兆x8或512KB的x16插槽，引导块低压单电源闪存 |
| 文件页数： | 20/33页 |
| 文件大小： | 234K |
| 代理商： | M29W800AT120M1T |
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M29W800AT, M29W800AB
20/33
Table 19. Write AC Characteristics, E Controlled
(T
A
= 0 to 70
°
C, –20 to 85
°
C or –40 to 85
°
C)
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
2. This timing is for Temporary Block Unprotection operation.
Symbol
Alt
Parameter
M29W800AT / M29W800AB
Unit
80
90
V
CC
= 3.0V to 3.6V
CL = 30pF
V
CC
= 3.0V to 3.6V
CL = 30pF
Min
Max
Min
Max
t
AVAV
t
WC
Address Valid to Next Address Valid
80
90
ns
t
AVEL
t
AS
Address Valid to Chip Enable Low
0
0
ns
t
DVEH
t
DS
Input Valid to Chip Enable High
35
45
ns
t
EHDX
t
DH
Chip Enable High to Input Transition
0
0
ns
t
EHEL
t
CPH
Chip Enable High to Chip Enable Low
30
30
ns
t
EHGL
t
OEH
Chip Enable High to Output Enable Low
0
0
ns
t
EHRL(1)
t
BUSY
Program Erase Valid to RB Delay
80
90
ns
t
EHWH
t
WH
Chip Enable High to Write Enable High
0
0
ns
t
ELAX
t
AH
Chip Enable Low to Address Transition
45
45
ns
t
ELEH
t
CP
Chip Enable Low to Chip Enable High
35
35
ns
t
GHEL
Output Enable High Chip Enable Low
0
0
ns
t
PHPHH(1, 2)
t
VIDR
RP Rise TImeto V
ID
500
500
ns
t
PHWL(1)
t
RSP
RP High to Write Enable Low
4
4
μ
s
t
PLPX
t
RP
RP Pulse Width
500
500
ns
t
VCHWL
t
VCS
V
CC
High to Write Enable Low
50
50
μ
s
t
WLEL
t
WS
Write Enable Low to Chip Enable Low
0
0
ns
POWER SUPPLY
Power Up
The memory Command Interface is reset on pow-
er up to Read Array. The device does not accept
commands on the first rising edge of W, if both W
and E are at V
IL
with G at V
IH
during power-up.
Any write cycle initiation is blocked when V
CC
is
below V
LKO
.
Supply Rails
Normal precautions must be taken for supply volt-
age decoupling; each device in a system should
have the V
CC
rail decoupled with a 0.1
μ
F capacitor
close to the V
CC
and V
SS
pins. The PCB trace
widths should be sufficient to carry the V
CC
pro-
gram and erase currents required.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29W800AT100ZA6T | Low-Power Single Schmitt-Trigger Buffer 5-SOT -40 to 85 |
| M29W800AT100ZA1T | Low-Power Single Schmitt-Trigger Buffer 5-SOT -40 to 85 |
| M29W800AT100N6T | Low-Power Single Schmitt-Trigger Buffer 5-SC70 -40 to 85 |
| M29W800AB100ZA6T | 8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory |
| M29W800AB100ZA1T | 8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M29W800AT120N1 | 功能描述:闪存 1Mx8 or 512Kx16 120n RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29W800AT120N6 | 功能描述:闪存 STD FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29W800AT120ZA6 | 功能描述:闪存 LFBGA48 1MX8 512KX16 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29W800AT80N1 | 功能描述:闪存 1Mx8 or 512Kx16 80ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29W800AT90M1 | 功能描述:闪存 1Mx8 or 512Kx16 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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