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参数资料
| 型号： | M29W800DB45ZA6T |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 8兆（1兆x8或512KB的x16插槽，引导块）3V电源快闪记忆体 |
| 文件页数： | 20/42页 |
| 文件大小： | 275K |
| 代理商： | M29W800DB45ZA6T |
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M29W800DT, M29W800DB
20/42
DC AND AC PARAMETERS
This section summarizes the operating measure-
ment conditions, and the DC and AC characteris-
tics of the device. The parameters in the DC and
AC characteristics Tables that follow, are derived
from tests performed under the Measurement
Conditions summarized in
Table 9., Operating and
AC Measurement Conditions
. Designers should
check that the operating conditions in their circuit
match the operating conditions when relying on
the quoted parameters.
Table 9. Operating and AC Measurement Conditions
Figure 10. AC Measurement I/O Waveform
Figure 11. AC Measurement Load Circuit
Table 10. Device Capacitance
Note: Sampled only, not 100% tested.
Parameter
M29W800D
Unit
45
70
90
Min
Max
Min
Max
Min
Max
V
CC
Supply Voltage
3.0
3.6
2.7
3.6
2.7
3.6
V
Ambient Operating Temperature (range 6)
–40
85
–40
85
–40
85
°C
Ambient Operating Temperature (range 1)
0
70
0
70
0
70
Load Capacitance (C
L
)
30
30
100
pF
Input Rise and Fall Times
10
10
10
ns
Input Pulse Voltages
0 to V
CC
0 to V
CC
0 to V
CC
V
Input and Output Timing Ref. Voltages
V
CC
/2
V
CC
/2
V
CC
/2
V
AI04498
VCC
0V
VCC/2
AI04499
CL
CL includes JIG capacitance
DEVICE
UNDER
TEST
25k
VCC
25k
VCC
0.1μF
Symbol
Parameter
Test Condition
Min
Max
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0V
6
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0V
12
pF
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29W800DB45ZE1E | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W800DB45ZE1F | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W800DB45ZE1T | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W800DB45ZE6E | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W800DB45ZE6F | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M29W800DB45ZE6E | 功能描述:闪存 8 MBIT (1MB) 3V SUPPLY RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29W800DB45ZE6F | 功能描述:闪存 STD FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29W800DB45ZE6F TR | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 8MBIT 45NS 48TFBGA |
| M29W800DB70M6 | 功能描述:闪存 1Mx8 or 512Kx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29W800DB70N1 | 功能描述:闪存 1Mx8 or 512Kx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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