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参数资料
| 型号： | M29W800DB45ZE1F |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 8兆（1兆x8或512KB的x16插槽，引导块）3V电源快闪记忆体 |
| 文件页数： | 41/42页 |
| 文件大小： | 275K |
| 代理商： | M29W800DB45ZE1F |
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M29W800DT, M29W800DB
REVISION HISTORY
Table 30. Document Revision History
Date
Version
Revision Details
August 2001
1.0
First Issue
03-Dec-2001
2.0
Block Protection Appendix added, SO44 drawing and package mechanical data updated,
CFI Table 26, address 39h/72h data clarified, Read/Reset operation during Erase
Suspend clarified
01-Mar-2002
3.0
Description of Ready/Busy signal clarified (and
Figure 15.
modified)
Clarified allowable commands during block erase
Clarified the mode the device returns to in the CFI Read Query command section
11-Apr-2002
4.0
Temperature range 1 added
Document promoted from Preliminary Data to full Data Sheet
31-Mar-2003
4.1
Erase Suspend Latency Time (typical and maximum) and Data Retention parameters
added to Table
Table 6., Program, Erase Times and Program, Erase Endurance Cycles
,
and Typical after 100k W/E Cycles column removed. Minimum voltage corrected for 70ns
Speed Class in
Table 9.
,
Operating and AC Measurement Conditions
.
Logic Diagram and Data Toggle Flowchart corrected.
Lead-free package options E and F added to
Table 20., Ordering Information Scheme
.
13-Feb-2004
5.0
TSOP48 package Outline and Mechanical Data updated.
TFBGA48 6x8mm – 6x8 active ball array – 0.80mm pitch added.
Table 9.Operating and AC Measurement Conditions
updated for 70ns speed option.
23-Apr-2004
6.0
Figure 3., SO Connections
updated.
16-Sep-2004
7.0
45ns speed class added.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29W800DB45ZE1T | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W800DB45ZE6E | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W800DB45ZE6F | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W800DB45ZE6T | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W800DB70M1E | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M29W800DB45ZE6E | 功能描述:闪存 8 MBIT (1MB) 3V SUPPLY RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29W800DB45ZE6F | 功能描述:闪存 STD FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29W800DB45ZE6F TR | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 8MBIT 45NS 48TFBGA |
| M29W800DB70M6 | 功能描述:闪存 1Mx8 or 512Kx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29W800DB70N1 | 功能描述:闪存 1Mx8 or 512Kx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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