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参数资料
| 型号： | M29W800DT70ZA1T |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-SOT-23 -40 to 85 |
| 中文描述： | 8兆（1兆x8或512KB的x16插槽，引导块）3V电源快闪记忆体 |
| 文件页数： | 28/41页 |
| 文件大小： | 219K |
| 代理商： | M29W800DT70ZA1T |
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M29W800DT, M29W800DB
28/41
TFBGA48 6x9mm – 6x8 active ball array – 0.80mm pitch, Bottom View Package Outline
Note: Drawing is not to scale.
TFBGA48 6x9mm – 6x8 active ball array – 0.80mm pitch, Package Mechanical Data
Symbol
millimeters
inches
Typ
Min
Max
Typ
Min
Max
A
1.200
0.0472
A1
0.200
0.0079
A2
1.000
0.0394
b
0.400
0.350
0.450
0.0157
0.0138
0.0177
D
6.000
5.900
6.100
0.2362
0.2323
0.2402
D1
4.000
–
–
0.1575
–
–
ddd
0.100
0.0039
E
9.000
8.900
9.100
0.3543
0.3504
0.3583
e
0.800
–
–
0.0315
–
–
E1
5.600
–
–
0.2205
–
–
FD
1.000
–
–
0.0394
–
–
FE
1.700
–
–
0.0669
–
–
SD
0.400
–
–
0.0157
–
–
SE
0.400
–
–
0.0157
–
–
E1
E
D1
D
e
b
A2
A1
A
BGA-Z00
ddd
FD
FE
SD
SE
e
BALL "A1"
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29W800DT70ZA6T | Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-SOT-23 -40 to 85 |
| M29W800DT90M1T | Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-SC70 -40 to 85 |
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| M29W800DT90N6T | Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-SC70 -40 to 85 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M29W800DT70ZA6 | 功能描述:闪存 1Mx8 or 512Kx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29W800DT70ZE6 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
| M29W800DT70ZE6E | 功能描述:闪存 STD FLASH 8 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29W800DT70ZE6E_NUD | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
| M29W800DT70ZE6F | 功能描述:闪存 8MB 3V SUPPLY RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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