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参数资料
| 型号： | M29W800DT70ZA1T |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-SOT-23 -40 to 85 |
| 中文描述： | 8兆（1兆x8或512KB的x16插槽，引导块）3V电源快闪记忆体 |
| 文件页数： | 6/41页 |
| 文件大小： | 219K |
| 代理商： | M29W800DT70ZA1T |
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M29W800DT, M29W800DB
6/41
Figure 3. SO Connections
Figure 4. TSOP Connections
G
DQ0
DQ8
DQ1
DQ9
A3
A2
A1
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E
VSS
A13
A14
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BYTE
VSS
DQ15A–1
DQ7
DQ14
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A12
DQ5
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VCC
DQ4
A9
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RB
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AI05462
M29W800DT
M29W800DB
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NC
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NC
NC
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A11
A13
A16
BYTE
VSS
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A14
E
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29W800DT70ZA6T | Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-SOT-23 -40 to 85 |
| M29W800DT90M1T | Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-SC70 -40 to 85 |
| M29W800DT90M6T | Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-SC70 -40 to 85 |
| M29W800DT90N1T | Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-SC70 -40 to 85 |
| M29W800DT90N6T | Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-SC70 -40 to 85 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M29W800DT70ZA6 | 功能描述:闪存 1Mx8 or 512Kx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29W800DT70ZE6 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
| M29W800DT70ZE6E | 功能描述:闪存 STD FLASH 8 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29W800DT70ZE6E_NUD | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
| M29W800DT70ZE6F | 功能描述:闪存 8MB 3V SUPPLY RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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