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参数资料
| 型号： | M306N4FCTGP |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 16-BIT, FLASH, 20 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP100 |
| 封装： | 14 X 14 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, LQFP-100 |
| 文件页数： | 41/92页 |
| 文件大小： | 694K |
| 代理商： | M306N4FCTGP |
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Rev.2.40
Aug 25, 2006
page 46 of 88
REJ03B0003-02400
M16C/6N Group (M16C/6N4)
5. Electric Characteristics (T/V-ver.)
Under development
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Figure 5.5 Timing Diagram (3)
BCLK
CSi
td(BCLK-CS)
25ns.max
ADi
25ns.max
ALE
25ns.max
-4ns.min
RD
25ns.max
th(BCLK-RD)
0ns.min
th(BCLK-AD)
4ns.min
th(BCLK-CS)
4ns.min
Hi-Z
DBi
th(RD-DB)
0ns.min
th(RD-AD)
BHE
tcyc
Read timing
td(BCLK-AD)
td(BCLK-ALE)
th(BCLK-ALE)
tSU(DB-RD)
td(BCLK-RD)
40ns.min
tac1(RD-DB)
Memory Expansion Mode and Microprocessor Mode
(For setting with no wait)
WR,WRL,
WRH
25ns.max
th(BCLK-WR)
0ns.min
BCLK
CSi
td(BCLK-CS)
25ns.max
ADi
td(BCLK-AD)
25ns.max
ALE
25ns.max
td(BCLK-ALE)
th(BCLK-ALE)
-4ns.min
th(BCLK-AD)
4ns.min
th(BCLK-CS)
4ns.min
tcyc
th(WR-AD)
BHE
td(BCLK-DB)
40ns.max
4ns.min
th(BCLK-DB)
td(DB-WR)
(0.5
tcyc-40)ns.min
th(WR-DB)
DBi
Write timing
td(BCLK-WR)
Hi-Z
(0.5
tcyc-45)ns.max
(0.5
tcyc-10)ns.min
tcyc =
1
f(BCLK)
Measuring conditions :
VCC = 5 V
Input timing voltage
: VIL = 0.8 V, VIH = 2.0 V
Output timing voltage : VOL = 0.4 V, VOH = 2.4 V
(0.5
tcyc-10)ns.min
VCC = 5 V
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PDF描述 |
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| M306N4MCV-XXXGP | 16-BIT, MROM, 20 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP100 |
| M306N4FGTFP | 16-BIT, FLASH, 20 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP100 |
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参数描述 |
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| M306N4FCVGP | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Renesas MCU |
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| M306N4FGFP | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Renesas MCU |
| M306N4FGGP | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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