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参数资料
型号： M30843FJFP
元件分类： 微控制器/微处理器
英文描述： 32-BIT, FLASH, 32 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP100
封装： 14 X 20 MM, 0.65 MM PITCH, PLASTIC, QFP-100
文件页数： 85/91页
文件大小： 903K
代理商： M30843FJFP
85
38C2 Group
SINGLE-CHIP 8-BIT CMOS MICROCOMPUTER
MITSUBISHI MICROCOMPUTERS
PRELIMINAR
Y
Notice:
This
is not
a final
specification.
Some
parametric
limits
are
subject
to change.
RAM hold voltage
Power source current
Limits
Parameter
Min.
1.8
Typ.
5.0
1.0
150
6
125
3
0.1
Max.
5.5
7.2
2.0
200
10
165
6
1.0
10
Symbol
Unit
When clock is stopped
Frequency/2 mode, Vcc = 5 V
f(XIN) = 8 MHz
f(XCIN) = 32.768 kHz
Output transistors “OFF”,
A-D converter in operating
Frequency/2 mode, Vcc = 5 V
f(XIN) = 8 MHz (in WIT state)
f(XCIN) = 32.768 kHz
Output transistors “OFF”,
A-D converter stopped
Low-speed mode, VCC = 5 V,
Ta
≤ 55 °C
f(XIN) = stopped
f(XCIN) = 32.768 kHz
Output transistors “OFF”
Low-speed mode, VCC = 5 V,
Ta = 25
°C
f(XIN) = stopped
f(XCIN) = 32.768 kHz (in WIT state)
Output transistors “OFF”
Low-speed mode, VCC = 3 V,
Ta
≤ 55 °C
f(XIN) = stopped
f(XCIN) = 32.768 kHz
Output transistors “OFF”
Low-speed mode, VCC = 3 V,
Ta = 25
°C
f(XIN) = stopped
f(XCIN) = 32.768 kHz (in WIT state)
Output transistors “OFF”
All oscillation stopped
(in STP state)
Output transistors “OFF”
Test conditions
VRAM
ICC
V
mA
A
Ta = 25
°C
Ta = 85
°C
Table 23 Electrical characteristics (Flash memory version)
(Vcc = 2.5 to 5.5 V, Ta = –20 to 85
°C, unless otherwise noted)
VPP Power source current (at read)
VPP Power source current
(at programming)
VPP Power source current (at erase)
VPP Power source voltage
Limits
Parameter
Min.
4.5
Typ.
Max.
100
60
30
5.5
Symbol
Unit
VPP = VCC, at flash memory mode
At flash memory mode
Test conditions
IPP1
IPP2
IPP3
VPP
A
mA
V
Table 24 Direct-electrical characteristics (Flash memory version)
(Vcc = 4.5 to 5.5 V, Ta = 25
°C, unless otherwise noted)
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PDF描述
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参数描述
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M30843FJFP#U5 功能描述:IC M32C MCU FLASH 512K 100QFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:M16C™ M32C/80/84 标准包装:250 系列:56F8xxx 核心处理器:56800E 芯体尺寸:16-位 速度:60MHz 连通性:CAN，SCI，SPI 外围设备:POR，PWM，温度传感器，WDT 输入/输出数:21 程序存储器容量:40KB（20K x 16） 程序存储器类型:闪存 EEPROM 大小:- RAM 容量:6K x 16 电压 - 电源 (Vcc/Vdd):2.25 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 6x12b 振荡器型:内部 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:48-LQFP 包装:托盘 配用:MC56F8323EVME-ND - BOARD EVALUATION MC56F8323
M30843FJGP 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:SINGLE-CHIP 16/32-BIT CMOS MICROCOMPUTER
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