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参数资料
| 型号： | M312L2920BTS-CAA |
| 厂商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | DDR SDRAM Registered Module |
| 中文描述： | DDR SDRAM的注册模块 |
| 文件页数： | 10/23页 |
| 文件大小： | 258K |
| 代理商： | M312L2920BTS-CAA |
DDR SDRAM
512MB, 1GB, 2GB TSOP Registered DIMM
Revison 1.0 December, 2003
DDR SDRAM IDD spec table
(V
DD
=2.7V, T = 10
C)
* Module IDD was calculated on the basis of component IDD and can be differently measured according to DQ loading cap.
Symbol
AA(DDR266@CL=2)
A2(DDR266@CL=2)
B0(DDR266@CL=2.5)
A0(DDR200@CL=2)
Unit
Notes
IDD0
1,620
1,490
1,490
1,490
mA
IDD1
1,840
1,720
1,720
1,720
mA
IDD2P
370
350
350
350
mA
IDD2F
895
770
770
770
mA
IDD2Q
505
480
480
480
mA
IDD3P
595
570
570
570
mA
IDD3N
1,080
950
950
950
mA
IDD4R
1,980
1,850
1,850
1,850
mA
IDD4W
2,020
1,900
1,900
1,900
mA
IDD5
2,790
2,660
2,660
2,660
mA
IDD6
Normal
370
350
350
350
mA
Low power
350
330
330
330
mA
Optional
IDD7A
3,670
3,560
3,560
3,560
mA
M383(12)L6523BTS [ (64M x 8) * 9 , 512MB Module ]
M383(12)L2923BTS [ (64M x 8) * 18 , 1GB Module ]
(V
DD
=2.7V, T = 10
C)
* Module IDD was calculated on the basis of component IDD and can be differently measured according to DQ loading cap.
Symbol
AA(DDR266@CL=2)
A2(DDR266@CL=2)
B0(DDR266@CL=2.5)
A0(DDR200@CL=2)
Unit
Notes
IDD0
2,190
2,190
2,190
2,190
mA
IDD1
2,420
2,420
2,420
2,420
mA
IDD2P
540
540
540
540
mA
IDD2F
1,290
1,290
1,290
1,290
mA
IDD2Q
810
810
810
810
mA
IDD3P
990
990
990
990
mA
IDD3N
1,650
1,650
1,650
1,650
mA
IDD4R
2,550
2,550
2,550
2,550
mA
IDD4W
2,600
2,600
2,600
2,600
mA
IDD5
3,360
3,360
3,360
3,360
mA
IDD6
Normal
540
540
540
540
mA
Low power
500
500
500
500
mA
Optional
IDD7A
4,260
4,260
4,260
4,260
mA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
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