参数资料
型号: M312L2923BG0-CB3
厂商: SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述: TVS 1500W 15V UNIDIRECT SMC
中文描述: DDR SDRAM的注册模块
文件页数: 5/18页
文件大小: 274K
代理商: M312L2923BG0-CB3
DDR SDRAM
1GB, 2GB Registered DIMM
Rev. 1.1 August. 2003
1GB, 128M x 72 ECC Module (M312L2923BG0)
(Populated as 2 bank of x8 DDR SDRAM Module)
Functional Block Diagram
RCS0
DQS0
DM/
CS
DQS
DQ0
DQ2
DQ4
DQ7
D0
DQS1
DM1
DM/
CS
DQS
DQ8
DQ11
DQ14
D1
DQS2
DM2
DM/
CS
DQS
DQ16
DQ18
DQ21
D2
DQS3
DM3
DM/
CS
DQS
DQ24
DQ25
DQ28
DQ31
D3
DQS4
DM/
CS
DQS
DQ32
DQ34
DQ37
D4
DQS5
DM5
DM/
CS
DQS
DQ40
DQ43
DQ46
D5
DQS6
DM6
DM/
CS
DQS
DQ48
DQ49
DQ52
DQ55
D6
DQS7
DM/
CS
DQS
DQ56
DQ57
DQ60
DQ63
D7
I/O 7
I/O 1
I/O 4
I/O 7
I/O 6
I/O 5
I/O 2
I/O 7
I/O 0
I/O 3
I/O 7
I/O 1
I/O 4
I/O 7
I/O 1
I/O 4
I/O 7
I/O 6
I/O 5
I/O 2
I/O 7
I/O 0
I/O 3
I/O 7
I/O 1
I/O 4
DM/
CS
DQS
D9
DM/
CS
DQS
D10
DM/
CS
DQS
D11
DM/
CS
DQS
D12
I/O 0
I/O 6
I/O 3
DM/
CS
DQS
D13
DM/
CS
DQS
D14
DM/
CS
DQS
D15
DM/
CS
DQS
D16
RCS1
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 5
I/O 0
I/O 6
I/O 3
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 5
I/O 0
I/O 6
I/O 3
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 5
I/O 0
I/O 6
I/O 3
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 5
V
SS
D0 - D17
V
DD
/V
DDQ
D0 - D17
D0 - D17
VREF
V
DDSPD
SPD
D0 - D17
A0
Serial PD
A1
A2
SA0
SA1
SA2
SCL
WP
SDA
DQS8
DM8
DM/
CS
DQS
D8
I/O 7
I/O 0
I/O 3
DM/
CS
DQS
D17
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 5
CB0
CB2
CB5
PCK
PCK
RAS
CAS
CKE0
CKE1
WE
CS1
BA0-BA1
A0-A12
CS0
RESET
RCS1
RA0 - RA12
RRAS
RCAS
RCKE0
RCKE1
RCS0
RWE
BA0 -BA1 : DDR SDRAM DQ0 - D17
A0 -A12 : DDR SDRAM D0 - D17
RAS : DDR SDRAM D0 - D17
CAS : DDR SDRAM DQ0 - D17
CKE : DDR SDRAM D0 - D8
CKE : DDR SDRAM D9 - D17
WE: DDR SDRAM D0 - D17
R
E
G
I
S
T
E
R
PLL*
CK0,CK0
* Wire per Clock Loading table/wiring Diagrams
Notes:
1. DQ-to-I/O wiring is shown as recom-
mended but may be changed.
2. DQ/DQS/DM/CKE/CS relationships
must be maintained as shown.
3. DQ, DQS, DM/DQS resistors: 22 Ohms.
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