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参数资料
| 型号： | M312L5720BG0-CB3 |
| 厂商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | DDR SDRAM Registered Module |
| 中文描述： | DDR SDRAM的注册模块 |
| 文件页数： | 10/18页 |
| 文件大小： | 274K |
| 代理商： | M312L5720BG0-CB3 |
DDR SDRAM
1GB, 2GB Registered DIMM
Rev. 1.1 August. 2003
DDR SDRAM IDD spec table
M312L5720BG0 [ (128M x 4) * 36, 2GB Module ]
(V
DD
=2.7V, T = 10
°
C)
Symbol
B3 (DDR333@CL=2.5)
A2 (DDR266@CL=2)
IDD0
4,030
3,630
IDD1
4,480
3,990
IDD2P
680
630
IDD2F
1,960
1,830
IDD2Q
1,400
1,170
IDD3P
1,580
1,530
IDD3N
2,680
2,550
IDD4R
4,750
4,080
IDD4W
5,200
4,350
IDD5
6,280
5,970
IDD6
Normal
680
630
Low power
610
560
IDD7A
8,980
7,590
* Module IDD was calculated on the basis of component IDD and can be differently measured according to DQ loading cap.
B0 (DDR266@CL=2.5)
3,630
3,990
630
1,830
1,170
1,530
2,550
4,080
4,350
5,970
630
560
7,590
Unit
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
Notes
Optional
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M347S6453CTS-C7C | M374S6453CTS PC133/PC100 Unbuffered SDRAM DIMM |
| M347S6453CTS-C1H | M374S6453CTS PC133/PC100 Unbuffered SDRAM DIMM |
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| M347S6453CTS-C7A | M374S6453CTS PC133/PC100 Unbuffered SDRAM DIMM |
| M374S6453CTS-L7C | M374S6453CTS PC133/PC100 Unbuffered SDRAM DIMM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M312L5720CZ3-CCC00 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:512 DDR SDRAM MODUL X72 BOC(LF) - Trays |
| M312L6420ETS | 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Registered Module |
| M312L6420HUS | 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Product Guide |
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