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参数资料
| 型号： | M312L5720BG0-CB3 |
| 厂商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | DDR SDRAM Registered Module |
| 中文描述： | DDR SDRAM的注册模块 |
| 文件页数： | 9/18页 |
| 文件大小： | 274K |
| 代理商： | M312L5720BG0-CB3 |
DDR SDRAM
1GB, 2GB Registered DIMM
Rev. 1.1 August. 2003
DDR SDRAM IDD spec table
(V
DD
=2.7V, T = 10
°
C)
Symbol
B3 (DDR333@CL=2.5)
A2 (DDR266@CL=2)
IDD0
2,450
2,190
IDD1
2,680
2,370
IDD2P
590
540
IDD2F
1,420
1,290
IDD2Q
950
810
IDD3P
1,040
990
IDD3N
1,780
1,650
IDD4R
2,810
2,420
IDD4W
3,040
2,550
IDD5
3,580
3,360
IDD6
Normal
590
540
Low power
560
510
IDD7A
4,930
4,170
* Module IDD was calculated on the basis of component IDD and can be differently measured according to DQ loading cap.
B0 (DDR266@CL=2.5)
2,190
2,370
540
1,290
810
990
1,650
2,420
2,550
3,360
540
510
4,170
Unit
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
Notes
Optional
M312L2923BG0 [ (64M x 8) * 18 , 1GB Module ]
M312L2920BG0 [ (128M x 4) * 18 , 1GB Module ]
(V
DD
=2.7V, T = 10
°
C)
Symbol
B3 (DDR333@CL=2.5)
A2 (DDR266@CL=2)
IDD0
3,000
2,610
IDD1
3,450
2,970
IDD2P
470
420
IDD2F
1,290
1,170
IDD2Q
830
690
IDD3P
920
870
IDD3N
1,650
1,530
IDD4R
3,720
3,060
IDD4W
4,170
3,330
IDD5
5,250
4,950
IDD6
Normal
670
420
Low power
430
380
IDD7A
7,950
6,570
* Module IDD was calculated on the basis of component IDD and can be differently measured according to DQ loading cap.
B0 (DDR266@CL=2.5)
2,610
2,970
420
1,170
690
870
1,530
3,060
3,330
4,950
420
380
6,570
Unit
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
Notes
Optional
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M347S6453CTS-C7C | M374S6453CTS PC133/PC100 Unbuffered SDRAM DIMM |
| M347S6453CTS-C1H | M374S6453CTS PC133/PC100 Unbuffered SDRAM DIMM |
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| M347S6453CTS-C7A | M374S6453CTS PC133/PC100 Unbuffered SDRAM DIMM |
| M374S6453CTS-L7C | M374S6453CTS PC133/PC100 Unbuffered SDRAM DIMM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M312L5720CZ3-CCC00 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:512 DDR SDRAM MODUL X72 BOC(LF) - Trays |
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