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参数资料
| 型号： | M366S3354BTS |
| 厂商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | CAP 68UF 16V ELECT KZE RAD |
| 中文描述： | 内存缓冲模块168线缓冲模块基于512Mb乙芯片62/72-bit非ECC / ECC的 |
| 文件页数： | 8/22页 |
| 文件大小： | 379K |
| 代理商： | M366S3354BTS |
256MB, 512MB, 1GB Unbuffered DIMM
512MB, 64Mx72 ECC Module (M374S6553BTS)
(Populated as 1 bank of x8 SDRAM Module)
Rev. 1.1 February 2004
SDRAM
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
V
DD
Vss
One 0.1uF and one 0.22 uF Cap.
per each SDRAM
To all SDRAMs
A0 ~ A12, BA0 & 1
CKE0
RAS
CAS
WE
SDRAM U0 ~ U8
SDRAM U0 ~ U8
SDRAM U0 ~ U8
SDRAM U0 ~ U8
SDRAM U0 ~ U8
10
DQn
Every DQpin of SDRAM
CLK1/3
10
10pF
U0/U3
U5/U7
10
CLK0/2
U1/U4
U6/U8
3.3pF
*1
U2
*1 : For 4 loads, CLK2 only.
Serial PD
SDA
SCL
A1
A2
A0
SA1 SA2
SA0
WP
47K
DQM1
DQM5
DQM3
DQM2
CS2
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
U0
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQM
CS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
U5
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQM
CS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
U1
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQM
CS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
U6
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
DQM
CS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
U2
CB0
CB1
CB2
CB3
CB4
CB5
CB6
CB7
DQM
CS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
U7
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
DQM
CS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
U3
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQM
CS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
U8
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
DQM
CS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
U4
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DQM
CS
DQM0
CS0
DQM4
DQM6
DQM7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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