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参数资料
| 型号： | M470L3224BT0 |
| 厂商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256MB DDR SDRAM MODULE |
| 中文描述： | 256MB的DDR内存模块 |
| 文件页数： | 6/20页 |
| 文件大小： | 264K |
| 代理商： | M470L3224BT0 |
DDR SDRAM
128MB, 256MB SODIMM Pb-Free
256MB, 32M x 64 Non ECC Module (M470L3224FU0)
(Populated as 2 bank of x16 DDR SDRAM Module)
Functional Block Diagram
Revision 1.2 Oct. 2004
CS1
CS0
I/0 0
I/0 1
I/0 2
I/0 3
I/0 4
I/0 5
I/0 6
D0
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
LDQS
LDM
CS
CS
A0
Serial PD
A1
A2
SA0
SA1
SA2
SCL
WP
SDA
V
SS
D0 - D7
V
DD
/V
DDQ
D0 - D7
D0 - D7
VREF
V
DDSPD
SPD
Clock Wiring
Clock
Input
CK0/CK0
CK1/CK1
CK2/CK2
SDRAMs
4 SDRAMs
4 SDRAMs
NC
LDQS
LDM
I/0 0
I/0 1
I/0 2
I/0 3
I/0 4
I/0 5
I/0 6
DQS0
DM0
D4
I/0 8
I/0 9
I/0 10
I/0 11
I/0 12
I/0 13
I/0 14
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
UDQS
UDM
UDQS
UDM
I/0 8
I/0 9
I/0 10
I/0 11
I/0 12
I/0 13
I/0 14
DQS1
DM1
I/0 0
I/0 1
I/0 2
I/0 3
I/0 4
I/0 5
I/0 6
D2
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
LDQS
LDM
CS
CS
LDQS
LDM
I/0 0
I/0 1
I/0 2
I/0 3
I/0 4
I/0 5
I/0 6
DQS4
DM4
D6
I/0 8
I/0 9
I/0 10
I/0 11
I/0 12
I/0 13
I/0 14
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
UDQS
UDM
UDQS
UDM
I/0 8
I/0 9
I/0 10
I/0 11
I/0 12
I/0 13
I/0 14
DQS5
DM5
I/0 0
I/0 1
I/0 2
I/0 3
I/0 4
I/0 5
I/0 6
D1
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
LDQS
LDM
CS
CS
LDQS
LDM
I/0 0
I/0 1
I/0 2
I/0 3
I/0 4
I/0 5
I/0 6
DQS2
DM2
D5
I/0 8
I/0 9
I/0 10
I/0 11
I/0 12
I/0 13
I/0 14
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
UDQS
UDM
UDQS
UDM
I/0 8
I/0 9
I/0 10
I/0 11
I/0 12
I/0 13
I/0 14
DQS3
DM3
I/0 0
I/0 1
I/0 2
I/0 3
I/0 4
I/0 5
I/0 6
D3
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
LDQS
LDM
CS
CS
LDQS
LDM
I/0 0
I/0 1
I/0 2
I/0 3
I/0 4
I/0 5
I/0 6
DQS6
DM6
D7
I/0 8
I/0 9
I/0 10
I/0 11
I/0 12
I/0 13
I/0 14
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
UDQS
UDM
UDQS
UDM
I/0 8
I/0 9
I/0 10
I/0 11
I/0 12
I/0 13
I/0 14
DQS7
DM7
A0 - A12
A0-A12: DDR SDRAMs D0 - D7
BA0 - BA1
BA0-BA1: DDR SDRAMs D0 - D7
RAS
RAS: SDRAMs D0 - D7
CAS
CAS: SDRAMs D0 - D7
CKE0
CKE: SDRAMs D0 - D3
WE
WE: SDRAMs D0 - D7
CKE1
CKE: SDRAMs D4 - D7
Notes:
1. DQ-to-I/O wiring is shown as recom-
mended but may be changed.
2. DQ/DQS/DM/CKE/CS relationships must
be maintained as shown.
3. DQ, DQS, DM/DQS resistors: 22 Ohms.
*Clock Net Wiring
Card
Edge
D0/D2/Cap
D1/D3/Cap
D4/D6/Cap
D5/D7/Cap
R=120
CK0/1/2
CK0/1/2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M470L3224BTO | 256MB DDR SDRAM MODULE |
| M470L1624FU0-CA2 | DDR SDRAM SODIMM |
| M470L3224FU0-CA2 | Ring Core Bead Ferrite; Impedance:340ohm; Cable Diameter Max:0.203"; Width (Latch Included):1.23"; External Height:1.155"; External Width:1.125"; Length:1.25" |
| M485L1624FU0-CA2 | Ring Core Bead Ferrite; Impedance:200ohm; Cable Diameter Max:0.35"; Latch Height:0.2"; Width (Latch Included):0.885"; External Height:0.79"; External Width:0.77"; Length:1.45" |
| M470L1624FU0-CB0 | Split Core Ferrite Bead; Inner Diameter:0.45"; Package/Case:Split Ferrite Core; External Width:0.93"; Frequency:100MHz; Impedance:238ohm; Latch Height:0.38"; Mounting Type:Surface Mount; Width (Latch Included):1.035" RoHS Compliant: Yes |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M470L3224BTO | 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:256MB DDR SDRAM MODULE |
| M470L3224DT0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:256MB DDR SDRAM MODULE |
| M470L3224DT0-CA0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:256MB DDR SDRAM MODULE |
| M470L3224DT0-CA2 | 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:256MB DDR SDRAM MODULE |
| M470L3224DT0-CB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:256MB DDR SDRAM MODULE |
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