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参数资料
型号： M470L6524CU0-LB3
厂商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： DDR SDRAM Unbuffered Module 18 4 pin Unbuffered Module based on 512Mb C-die
中文描述： DDR SDRAM的缓冲模块18 4针缓冲模块的基于C的512Mb芯片
文件页数： 3/17页
文件大小： 225K
代理商： M470L6524CU0-LB3
DDR SDRAM
256MB, 512MB Unbuffered SODIMM
Rev. 1.2 June 2005
Revision History
Revision
0.0
Month
April
Year
2004
History
- First version for internal review
0.1
0.2
1.0
1.1
1.2
September
October
February
April
June
2004
2004
2005
2005
2005
- Preliminary spec release.
- Changed IDD current.
- Revision 1.0 spec release.
- Added notice.
- Changed master format.
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PDF描述
M470L6524CU0-LCC DDR SDRAM Unbuffered Module 18 4 pin Unbuffered Module based on 512Mb C-die
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M470L3324CU0-CB0 DDR SDRAM Unbuffered Module 18 4 pin Unbuffered Module based on 512Mb C-die
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参数描述
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M470L6524DU0-CA2 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Unbuffered Module 18 4 pin Unbuffered Module based on 512Mb D-die 66 TSOP-II & 54 sTSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
M470L6524DU0-CB0 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Unbuffered Module 18 4 pin Unbuffered Module based on 512Mb D-die 66 TSOP-II & 54 sTSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
M470L6524DU0-CB3 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Unbuffered Module 18 4 pin Unbuffered Module based on 512Mb D-die 66 TSOP-II & 54 sTSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
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