参数资料
型号: M470L6524CU0-LB3
厂商: SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述: DDR SDRAM Unbuffered Module 18 4 pin Unbuffered Module based on 512Mb C-die
中文描述: DDR SDRAM的缓冲模块18 4针缓冲模块的基于C的512Mb芯片
文件页数: 6/17页
文件大小: 225K
代理商: M470L6524CU0-LB3
DDR SDRAM
256MB, 512MB Unbuffered SODIMM
Rev. 1.2 June 2005
(Populated as 1 bank of x16 DDR SDRAM Module)
6.1 256MB, 32M x 64 Non ECC Module (M470L3324CU0)
6.0 Functional Block Diagram
Notes:
1. DQ-to-I/O wiring is shown as recom-
mended but may be changed.
2. DQ/DQS/DM/CKE/CS relationships must
be maintained as shown.
3. DQ, DQS, DM/DQS resistors: 22 Ohms.
A0 - A12
A0-A12: DDR SDRAMs D0 - D3
BA0 - BA1
BA0-BA1: DDR SDRAMs D0 - D3
RAS
RAS: SDRAMs D0 - D3
CAS
CAS: SDRAMs D0 - D3
CKE0
CKE: SDRAMs D0 - D3
WE
WE: SDRAMs D0 - D3
A0
Serial PD
A1
A2
SA0
SA1
SA2
SCL
WP
SDA
V
SS
D0 - D3
D0 - D3
V
DD
/V
DDQ
D0 - D3
D0 - D3
VREF
V
DDSPD
SPD
Clock Wiring
Clock
Input
CK0/CK0
CK1/CK1
CK2/CK2
SDRAMs
2 SDRAMs
2 SDRAMs
NC
CK0/1/2
CK0/1/2
Card
Edge
D0/D2/Cap
Cap/Cap/Cap
Cap/Cap/Cap
±
5%
D1/D3/Cap
CS0
I/0 15
I/0 14
I/0 13
I/0 12
I/0 8
I/0 9
I/0 10
I/0 11
D0
LDQS
LDM
CS
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
DQS0
DM0
I/0 3
I/0 2
I/0 1
I/0 0
I/0 4
I/0 5
I/0 6
I/0 7
UDQS
UDM
DQ 8
DQ 9
DQ 10
DQ 11
DQ 12
DQ 13
DQ 14
DQ 15
DQS1
DM1
I/0 15
I/0 14
I/0 13
I/0 12
I/0 8
I/0 9
I/0 10
I/0 11
D2
LDQS
LDM
CS
DQ 32
DQ 33
DQ 34
DQ 35
DQ 36
DQ 37
DQ 38
DQ 39
DQS4
DM4
I/0 3
I/0 2
I/0 1
I/0 0
I/0 4
I/0 5
I/0 6
I/0 7
UDQS
UDM
DQ 40
DQ 41
DQ 42
DQ 43
DQ 44
DQ 45
DQ 46
DQ 47
DQS5
DM5
I/0 15
I/0 14
I/0 13
I/0 12
I/0 8
I/0 9
I/0 10
I/0 11
D1
LDQS
LDM
CS
DQ 16
DQ 17
DQ 18
DQ 19
DQ 20
DQ 21
DQ 22
DQ 23
DQS2
DM2
I/0 3
I/0 2
I/0 1
I/0 0
I/0 4
I/0 5
I/0 6
I/0 7
UDQS
UDM
DQ 24
DQ 25
DQ 26
DQ 27
DQ 28
DQ 29
DQ 30
DQ 31
DQS3
DM3
I/0 15
I/0 14
I/0 13
I/0 12
I/0 8
I/0 9
I/0 10
I/0 11
D3
LDQS
LDM
CS
DQ 48
DQ 49
DQ 50
DQ 51
DQ 52
DQ 53
DQ 54
DQ 55
DQS6
DM6
I/0 3
I/0 2
I/0 1
I/0 0
I/0 4
I/0 5
I/0 6
I/0 7
UDQS
UDM
DQ 56
DQ 57
DQ 58
DQ 59
DQ 60
DQ 61
DQ 62
DQ 63
DQS7
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