M470T3354CZ0-E6 PDF资料下载(7/20 页)DDR2 Unbuffered SODIMM

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您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录383302 > M470T3354CZ0-E6 (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) DDR2 Unbuffered SODIMM PDF资料下载

参数资料

型号：	M470T3354CZ0-E6
厂商：	SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述：	DDR2 Unbuffered SODIMM
中文描述：	无缓冲DDR2内存的SODIMM
文件页数：	7/20页
文件大小：	270K
代理商：	M470T3354CZ0-E6

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Rev. 1.1 Mar. 2005

256MB, 512MB, 1GB Unbuffered SODIMMs

Functional Block Diagram:

1GB, 128Mx64 Module

(Populated as 2 ranks of x8 DDR2 SDRAMs)

M470T2953CZ0

DDR2 SDRAM

ODT0

S0

CKE0

S1

ODT1

CKE1

SPD

SA0

SA1

SCL

SDA

V

SS

DDR2 SDRAMs D0 - D15, SPD

V

REF

DDR2 SDRAMs D0 - D15

DDR2 SDRAMs D0 - D15, V

DD

and V

DD

Q

V

DD

V

DD

SPD

Serial PD

WP

SCL

A0

A1

A2

A0 - A13

DDR2 SDRAMs D0 - D15

RAS

DDR2 SDRAMs D0 - D15

CAS

DDR2 SDRAMs D0 - D15

WE

DDR2 SDRAMs D0 - D15

BA0 - BA1

DDR2 SDRAMs D0 - D15

10

+ 5%

10

+ 5%

DQS1

DQS1

DM1

CS0

DQ8

DQ9

DQ10

DQ12

DQ13

DQ15

I/O 0

I/O 2

I/O 3

I/O 5

I/O 6

D0

DQS

DQS0

DQS0

DM0

DQ0

DQ2

DQ3

DQ5

DQ6

I/O 8

I/O 9

I/O 10

I/O 12

I/O 13

I/O 15

DQS

DQS5

DQS5

DM5

DQ40

DQ41

DQ42

DQ44

DQ45

DQ47

I/O 0

I/O 2

I/O 3

I/O 5

I/O 6

D4

DQS

DQS4

DQS4

DM4

DQ32

DQ34

DQ35

DQ37

DQ38

I/O 8

I/O 9

I/O 10

I/O 12

I/O 13

I/O 15

DQS

DQS3

DQS3

DM3

DQ24

DQ25

DQ27

DQ28

DQ30

DQ31

I/O 0

I/O 2

I/O 3

I/O 5

I/O 6

DQS

DQS2

DQS2

DM2

DQ16

DQ18

DQ19

DQ21

DQ22

I/O 8

I/O 9

I/O 11

I/O 12

I/O 14

I/O 15

DQS

DQS7

DQS7

DM7

DQ56

DQ57

DQ59

DQ60

DQ62

DQ63

I/O 0

I/O 2

I/O 3

I/O 5

I/O 6

DQS

DQS6

DQS6

DM6

DQ48

DQ50

DQ51

DQ53

DQ54

I/O 8

I/O 9

I/O 11

I/O 12

I/O 14

I/O 15

DQS

O

D

T

0

C

K

E

0

CS

1

I/O 0

I/O 2

I/O 3

I/O 5

I/O 6

D8

DQS

I/O 8

I/O 9

I/O 10

I/O 12

I/O 13

I/O 15

DQS

I/O 0

I/O 2

I/O 3

I/O 5

I/O 6

DQS

I/O 8

I/O 9

I/O 11

I/O 12

I/O 14

I/O 15

DQS

O

D

T

1

C

K

E

1

I/O 0

I/O 2

I/O 3

I/O 5

I/O 6

D12

DQS

I/O 8

I/O 9

I/O 10

I/O 12

I/O 13

I/O 15

DQS

I/O 0

I/O 2

I/O 3

I/O 5

I/O 6

DQS

I/O 8

I/O 9

I/O 11

I/O 12

I/O 14

I/O 15

DQS

CS0 O

D

T

0

C

K

E

0

CS

1

O

D

T

1

C

K

E

1

CS0

D1

D5

O

D

T

0

C

K

E

0

CS

1

D9

O

D

T

1

C

K

E

1

D13

CS0 O

D

T

0

C

K

E

0

CS

1

O

D

T

1

C

K

E

1

CS0

D2

D6

O

D

T

0

C

K

E

0

CS

1

D10

O

D

T

1

C

K

E

1

D14

CS0 O

D

T

0

C

K

E

0

CS

1

O

D

T

1

C

K

E

1

CS0

D3

D7

O

D

T

0

C

K

E

0

CS

1

D11

O

D

T

1

C

K

E

1

D15

CS0 O

D

T

0

C

K

E

0

CS

1

O

D

T

1

C

K

E

1

Notes :

1. DQ,DM, DQS/DQS resistors : 22 Ohms

±

5%.

2. BAx, Ax, RAS, CAS, WE resistors : 3.0 Ohms

±

5%.

* Wire per Clock Loading

Table/Wiring Diagrams

* Clock Wiring

Clock Input

*CK0/CK0

*CK1/CK1

DDR2 SDRAMs

8 DDR2 SDRAMs

8 DDR2 SDRAMs

相关PDF资料	PDF描述
M470T6554CZ0-D5	DDR2 Unbuffered SODIMM
M470T6554CZ0-E6	DDR2 Unbuffered SODIMM
M470T2953CZ0	DDR2 Unbuffered SODIMM
M470T6554CZ0-CC	DDR2 Unbuffered SODIMM
M470T2953CZ0-CC	Fuses, 15A 250V CERAMIC LEAD

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M470T3354CZ3	制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:DDR2 Unbuffered SODIMM 200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb C-die 64bit Non-ECC
M470T3354CZ3-CCC	制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:DDR2 Unbuffered SODIMM 200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb C-die 64bit Non-ECC
M470T3354CZ3-CD5	制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:DDR2 Unbuffered SODIMM 200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb C-die 64bit Non-ECC
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