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参数资料
| 型号： | M58BW016BB90ZA6 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 512K X 32 FLASH 3V PROM, 90 ns, PBGA80 |
| 封装： | 10 X 12 MM, 1 MM PITCH, LBGA-80 |
| 文件页数： | 20/63页 |
| 文件大小： | 895K |
| 代理商： | M58BW016BB90ZA6 |
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Table 10. Program, Erase Times and Program Erase Endurance Cycles
Note: TA = –40 to 125°C, VDD = 2.7V to 3.6V, VDDQ = 2.4V to VDD
Parameters
M58BW016B/D
Unit
Min
Typ
Max
VPP = VDD
VPP = 12V
VPP = VDD
VPP = 12V
Parameter Block (64Kb) Program
0.030
0.016
0.060
0.032
s
Main Block (512Kb) Program
0.23
0.13
0.46
0.26
s
Parameter Block Erase
0.8
0.64
1.8
1.5
s
Main Block Erase
1.5
0.9
3
1.8
s
Program Suspend Latency Time
3
10
s
Erase Suspend Latency Time
10
30
s
Program/Erase Cycles (per Block)
100,000
cycles
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M58BW016BT90ZA6 | 512K X 32 FLASH 3V PROM, 90 ns, PBGA80 |
| M58LR128FB95ZB6E | 8M X 16 FLASH 1.8V PROM, 95 ns, PBGA56 |
| M58LW128A150N1 | 8M X 16 FLASH 3V PROM, 150 ns, PDSO56 |
| M58WR064HU70ZB6U | 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 70 ns, PBGA44 |
| M59DR032F100N1T | 2M X 16 FLASH 1.8V PROM, 100 ns, PDSO48 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M58BW016BB90ZA6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58BW016BBT | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58BW016BBZA | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58BW016BT | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58BW016BT100T3T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
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