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参数资料
| 型号： | M58BW016BB90ZA6 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 512K X 32 FLASH 3V PROM, 90 ns, PBGA80 |
| 封装： | 10 X 12 MM, 1 MM PITCH, LBGA-80 |
| 文件页数： | 36/63页 |
| 文件大小： | 895K |
| 代理商： | M58BW016BB90ZA6 |
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Figure 16. Synchronous Burst Read - Continuous - Valid Data Ready Output
Note: Valid Data Ready = Valid Low during valid clock edge
1. V= Valid output.
2. R is an open drain output with an internal pull up resistor of 1M
. The internal timing of R follows DQ. An external resistor, typically
300k
. for a single memory on the R bus, should be used to give the data valid set up time required to recognize that valid data is
available on the next valid clock edge.
Figure 17. Synchronous Burst Read - Burst Address Advance
AI03649
K
Output (1)
VV
V
tRLKH
R
V
(2)
AI03650
K
ADD
Q0
Q1
L
Q2
ADD
VALID
G
tGLQV
tBLKH
tBHKH
B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M58BW016BT90ZA6 | 512K X 32 FLASH 3V PROM, 90 ns, PBGA80 |
| M58LR128FB95ZB6E | 8M X 16 FLASH 1.8V PROM, 95 ns, PBGA56 |
| M58LW128A150N1 | 8M X 16 FLASH 3V PROM, 150 ns, PDSO56 |
| M58WR064HU70ZB6U | 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 70 ns, PBGA44 |
| M59DR032F100N1T | 2M X 16 FLASH 1.8V PROM, 100 ns, PDSO48 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M58BW016BB90ZA6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58BW016BBT | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58BW016BBZA | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58BW016BT | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58BW016BT100T3T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
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