型号: | M68AW256ML70ZB1E |
厂商: | 意法半导体 |
英文描述: | 4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
中文描述: | 4兆位(256K × 16)3.0V异步SRAM |
文件页数: | 6/23页 |
文件大小: | 152K |
代理商: | M68AW256ML70ZB1E |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
M68AW256ML70ZB1F | 4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
M68AW256ML70ZB6 | 4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
M68AW256ML70ZB6E | 4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
M68AW256ML70ZB6F | 4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
M68AW256ML70ZH1 | 4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
M68AW256ML70ZB1F | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
M68AW256ML70ZB1T | 制造商:STMicroelectronics 功能描述: |
M68AW256ML70ZB6 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 70NS 48TFBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN(2x3) 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
M68AW256ML70ZB6E | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
M68AW256ML70ZB6F | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |