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参数资料
| 型号： | M68AW256MN55ZB1 |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | 4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
| 中文描述： | 4兆位（256K × 16）3.0V异步SRAM |
| 文件页数： | 15/23页 |
| 文件大小： | 152K |
| 代理商： | M68AW256MN55ZB1 |
15/23
M68AW256M
Figure 13. UB/LB Controlled, Write AC Waveforms
Note: 1. During this period DQ0-DQ15 are in output state and input signals should not be applied.
AI03987c
tAVAV
tBHAX
tDVBH
DATA INPUT
A0-A17
E
W
DQ0-DQ15
VALID
tAVBH
tBHDX
tBLBH
UB, LB
DATA
(1)
tAVBL
tELBH
tWLBH
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| M68AW256MN55ZB1E | 4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| M68AW256MN55ZB6 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
| M68AW256MN55ZB6E | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
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