参数资料
型号: M68AW512MN70ND6T
厂商: 意法半导体
英文描述: 8 Mbit (512K x16) 3.0V Asynchronous SRAM
中文描述: 8兆位(为512k × 16)3.0V异步SRAM
文件页数: 13/19页
文件大小: 296K
代理商: M68AW512MN70ND6T
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M68AW512M
Figure 12. UB/LB Controlled, Write AC Waveforms
Note: 1. During this period DQ0-DQ15 are in output state and input signals should not be applied.
AI05843
tAVAV
tBHAX
tDVBH
DATA INPUT
A0-A18
E
W
DQ0-DQ15
VALID
tAVBH
tBHDX
tBLBH
UB, LB
DATA
(1)
tAVBL
tELBH
tWLBH
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