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参数资料
| 型号： | M69AW024BE60ZB8F |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | 16 Mbit (1M x16) 3V Asynchronous PSRAM |
| 中文描述： | 16兆位（1米× 16）3V的异步移动存储芯片 |
| 文件页数： | 9/25页 |
| 文件大小： | 147K |
| 代理商： | M69AW024BE60ZB8F |
9/25
M69AW024BE
Table 2. Operating Modes
Note: 1. X = V
IH
or V
IL
.
2. Output Disable mode should not be kept longer than 1μs.
3. Power-down mode can be entered from Stand-by state, and all DQ pins are in Hi-Z state.
4. Can be either VIL or VIH but must be valid before Read or Write.
Operation
E2
E1
W
G
LB
UB
A0-A19
DQ0-DQ7
DQ8-
DQ15
I
CC
Data
Retention
Standby (Deselect)
V
IH
V
IH
X
(1)
X
(1)
X
(1)
X
(1)
X
(1)
Hi-Z
Hi-Z
I
SB
Yes
Output Disabled
(2)
V
IH
V
IL
V
IH
V
IH
X
(1)
X
(1)
Note
(4)
Hi-Z
Hi-Z
I
CC
Yes
Output Disabled
(No Read)
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IH
Valid
Hi-Z
Hi-Z
I
CC
Yes
Upper Byte Read
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
Valid
Hi-Z
Output
Valid
I
CC
Yes
Lower Byte Read
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
Valid
Output
Valid
Hi-Z
I
CC
Yes
Word Read
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
V
IL
Valid
Output Valid
I
CC
Yes
Upper Byte Write
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
Valid
Invalid
Input Valid
I
CC
Yes
Lower Byte Write
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
Valid
Input Valid
Invalid
I
CC
Yes
Word Write
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
Valid
Input Valid
Input Valid
I
CC
Yes
Power-down
(3)
V
IL
X
(1)
X
(1)
X
(1)
X
(1)
X
(1)
X
(1)
Hi-Z
Hi-Z
I
PD
No
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PDF描述 |
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