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参数资料
| 型号： | M93C06-MB6G |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 16 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, DSO8 |
| 封装： | 2 X 3 MM, LEAD FREE, MLP-8 |
| 文件页数： | 24/31页 |
| 文件大小： | 533K |
| 代理商： | M93C06-MB6G |
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M93C86, M93C76, M93C66, M93C56, M93C46, M93C06
30/31
REVISION HISTORY
Table 31. Document Revision History
Date
Rev.
Description of Revision
04-Feb-2003
2.0
Document reformatted, and reworded, using the new template. Temperature range 1 removed.
TSSOP8 (3x3mm) package added. New products, identified by the process letter W, added,
with fc(max) increased to 1MHz for -R voltage range, and to 2MHz for all other ranges (and
corresponding parameters adjusted)
26-Mar-2003
2.1
Value of standby current (max) corrected in DC characteristics tables for -W and -R ranges
VOUT and VIN separated from VIO in the Absolute Maximum Ratings table
04-Apr-2003
2.2
Values corrected in AC characteristics tables for -W range (tSLSH, tDVCH, tCLSL) for devices
with Process Identification Letter W
23-May-2003
2.3
Standby current corrected for -R range
27-May-2003
2.4
Turned die option re-instated in Ordering Information Scheme
25-Nov-2003
3.0
Table of contents, and Pb-free options added. Temperature range 7 added. VIL(min) improved
to –0.45V.
30-Mar-2004
4.0
MLP package added. Absolute Maximum Ratings for VIO(min) and VCC(min) changed.
Soldering temperature information clarified for RoHS compliant devices. Device grade
information clarified. Process identification letter “G” information added
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT48LC4M16A2F4-6IT:G | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PBGA54 |
| MT46V32M8FG-6TIT:G | 32M X 8 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA60 |
| MT46V32M8BG-6AT:G | 32M X 8 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA60 |
| M29F800FB55N3E2 | 512K X 16 FLASH 5V PROM, 55 ns, PDSO48 |
| MC12L1NZGF | ROTARY SWITCH-12POSITIONS, SP12T, LATCHED, 0.25A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M93C06MN | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:16Kbit, 8Kbit, 4Kbit, 2Kbit, 1Kbit and 256bit 8-bit or 16-bit wide |
| M93C06-MN6 | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 256 (32x8 or 16x16) RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| M93C06-MN6T | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 256 (32x8 or 16x16) RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| M93C06-WBN6 | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 256 (32x8 or 16x16) RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| M93C06-WMN6 | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 256 (32x8 or 16x16) RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
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