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参数资料
| 型号： | M93S56-WMN6 |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 4Kbit, 2Kbit and 1Kbit 16-bit wide MICROWIRE Serial Access EEPROM with Block Protection |
| 中文描述： | 4Kbit，2Kbit和1Kbit 16位宽MICROWIRE串行EEPROM的访问与街区保护 |
| 文件页数： | 25/34页 |
| 文件大小： | 525K |
| 代理商： | M93S56-WMN6 |
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M93S66, M93S56, M93S46
Table 19. AC Characteristics (M93Sx6-R)
Note: 1. t
CHCL
+ t
CLCH
≥
1 / f
C
.
2. Chip Select Input (S) must be brought Low for a minimum of tSLSH between consecutive instruction cycles.
3. Preliminary Data: this product is under development. For more infomation, please contact your nearest ST sales office.
Test conditions specified in
Table 9.
and
Table 7.
Symbol
Alt.
Parameter
Min.
3
Max.
3
Unit
f
C
f
SK
Clock Frequency
D.C.
1
MHz
t
PRVCH
t
PRES
Protect Enable Valid to Clock High
50
ns
t
WVCH
t
PES
Write Enable Valid to Clock High
50
ns
t
CLPRX
t
PREH
Clock Low to Protect Enable Transition
0
ns
t
SLWX
t
PEH
Chip Select Low to Write Enable Transition
250
ns
t
SLCH
Chip Select Low to Clock High
250
ns
t
SHCH
t
CSS
Chip Select Set-up Time
50
ns
t
SLSH2
t
CS
Chip Select Low to Chip Select High
250
ns
t
CHCL1
t
SKH
Clock High Time
250
ns
t
CLCH1
t
SKL
Clock Low Time
250
ns
t
DVCH
t
DIS
Data In Set-up Time
100
ns
t
CHDX
t
DIH
Data In Hold Time
100
ns
t
CLSH
t
SKS
Clock Set-up Time (relative to S)
100
ns
t
CLSL
t
CSH
Chip Select Hold Time
0
ns
t
SHQV
t
SV
Chip Select to Ready/Busy Status
400
ns
t
SLQZ
t
DF
Chip Select Low to Output Hi-Z
200
ns
t
CHQL
t
PD0
Delay to Output Low
400
ns
t
CHQV
t
PD1
Delay to Output Valid
400
ns
t
W
t
WP
Erase/Write Cycle time
10
ms
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M93S56-WMN3TP | 4Kbit, 2Kbit and 1Kbit 16-bit wide MICROWIRE Serial Access EEPROM with Block Protection |
| M93S56-WMN3TG | 4Kbit, 2Kbit and 1Kbit 16-bit wide MICROWIRE Serial Access EEPROM with Block Protection |
| M93S56-WMN3T | 4Kbit, 2Kbit and 1Kbit 16-bit wide MICROWIRE Serial Access EEPROM with Block Protection |
| M93S56-WMN3P | 4Kbit, 2Kbit and 1Kbit 16-bit wide MICROWIRE Serial Access EEPROM with Block Protection |
| M93S56-WDS6 | Triple 3-Input Positive-AND Gates 14-SSOP -40 to 85 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M93S56-WMN6G | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:4Kbit, 2Kbit and 1Kbit 16-bit wide MICROWIRE Serial Access EEPROM with Block Protection |
| M93S56-WMN6P | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 2.5 V to 5.5V 16K RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| M93S56-WMN6T | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 5.5V 2K (128x16) RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| M93S56-WMN6TG | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:4Kbit, 2Kbit and 1Kbit 16-bit wide MICROWIRE Serial Access EEPROM with Block Protection |
| M93S56-WMN6TP | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 2KBIT E-EPROM RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
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