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参数资料
| 型号： | M95080-MB3G/S |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 1K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, DSO8 |
| 封装： | 2 X 3 MM, ROHS COMPLIANT, MLP-8 |
| 文件页数： | 18/39页 |
| 文件大小： | 714K |
| 代理商： | M95080-MB3G/S |
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M95160, M95080
Table 21. AC Characteristics (M95160 and M95080, Device Grade 3)
Note: 1. tCH + tCL must never be lower than the shortest possible clock period, 1/fC(max).
2. Value guaranteed by characterization, not 100% tested in production.
Symbol
Alt.
Parameter
Process “Blank”
Process /W or /S
Unit
Min.
Max.
Min.
Max.
fC
fSCK
Clock Frequency
D.C.
2
D.C.
5
MHz
tSLCH
tCSS1 S Active Setup Time
200
90
ns
tSHCH
tCSS2 S Not Active Setup Time
200
90
ns
tSHSL
tCS
S Deselect Time
200
100
ns
tCHSH
tCSH
S Active Hold Time
200
90
ns
tCHSL
S Not Active Hold Time
200
90
ns
tCH
(1)
tCLH
Clock High Time
200
90
ns
tCL
tCLL
Clock Low Time
200
90
ns
tCLCH
(2)
tRC
Clock Rise Time
1
s
tCHCL
(2)
tFC
Clock Fall Time
1
s
tDVCH
tDSU
Data In Setup Time
40
20
ns
tCHDX
tDH
Data In Hold Time
50
30
ns
tHHCH
Clock Low Hold Time after HOLD not Active
140
70
ns
tHLCH
Clock Low Hold Time after HOLD Active
90
40
ns
tCLHL
Clock Low Set-up Time before HOLD Active
0
ns
tCLHH
Clock Low Set-up Time before HOLD not
Active
00
ns
tSHQZ
(2)
tDIS
Output Disable Time
250
100
ns
tCLQV
tV
Clock Low to Output Valid
150
60
ns
tCLQX
tHO
Output Hold Time
0
ns
tQLQH
(2)
tRO
Output Rise Time
100
50
ns
tQHQL
(2)
tFO
Output Fall Time
100
50
ns
tHHQV
tLZ
HOLD High to Output Valid
100
50
ns
tHLQZ
(2)
tHZ
HOLD Low to Output High-Z
250
100
ns
tW
tWC
Write Time
10
5
ms
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M95080-WMB3TG/S | 1K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, DSO8 |
| MMCK-67130V-45 | 1K X 8 MULTI-PORT SRAM, 45 ns, CDIP48 |
| MHO+46FGG-FREQ | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 67.001 MHz - 80 MHz, CMOS OUTPUT |
| MHO+46TCD-FREQ3 | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 50.001 MHz - 60 MHz, CMOS OUTPUT |
| MHO+51FAD-FREQ1 | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 732 MHz - 2.999 MHz, CMOS/TTL OUTPUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M95080-MN3 | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 5.5V 8K (1Kx8) RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| M95080-MN3T | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 5.5V 8K (1Kx8) RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| M95080-MN3TP/S | 制造商:STMicroelectronics 功能描述: |
| M95080-MN6 | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 5.5V 8K (1Kx8) RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| M95080-MN6P | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 电可擦除可编程只读存储器 RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
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