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参数资料
| 型号： | M95080-MB3G/S |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 1K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, DSO8 |
| 封装： | 2 X 3 MM, ROHS COMPLIANT, MLP-8 |
| 文件页数： | 8/39页 |
| 文件大小： | 714K |
| 代理商： | M95080-MB3G/S |
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M95160, M95080
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Read from Memory Array (READ)
As shown in Figure 11., to send this instruction to
the device, Chip Select (S) is first driven Low. The
bits of the instruction byte and address bytes are
then shifted in, on Serial Data Input (D). The ad-
dress is loaded into an internal address register,
and the byte of data at that address is shifted out,
on Serial Data Output (Q).
If Chip Select (S) continues to be driven Low, the
internal address register is automatically incre-
mented, and the byte of data at the new address is
shifted out.
When the highest address is reached, the address
counter rolls over to zero, allowing the Read cycle
to be continued indefinitely. The whole memory
can, therefore, be read with a single READ instruc-
tion.
The Read cycle is terminated by driving Chip Se-
lect (S) High. The rising edge of the Chip Select
(S) signal can occur at any time during the cycle.
The first byte addressed can be any byte within
any page.
The instruction is not accepted, and is not execut-
ed, if a Write cycle is currently in progress.
Figure 11. Read from Memory Array (READ) Sequence
Note: Depending on the memory size, as shown in Table 7., the most significant address bits are Don’t Care.
C
D
AI01793D
S
Q
15
2
1
3456789 10
20 21 22 23 24 25 26 27
14 13
3210
28 29 30
76543
1
7
0
High Impedance
Data Out 1
Instruction
16-Bit Address
0
MSB
2
31
Data Out 2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M95080-WMB3TG/S | 1K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, DSO8 |
| MMCK-67130V-45 | 1K X 8 MULTI-PORT SRAM, 45 ns, CDIP48 |
| MHO+46FGG-FREQ | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 67.001 MHz - 80 MHz, CMOS OUTPUT |
| MHO+46TCD-FREQ3 | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 50.001 MHz - 60 MHz, CMOS OUTPUT |
| MHO+51FAD-FREQ1 | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 732 MHz - 2.999 MHz, CMOS/TTL OUTPUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M95080-MN3 | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 5.5V 8K (1Kx8) RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| M95080-MN3T | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 5.5V 8K (1Kx8) RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| M95080-MN3TP/S | 制造商:STMicroelectronics 功能描述: |
| M95080-MN6 | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 5.5V 8K (1Kx8) RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| M95080-MN6P | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 电可擦除可编程只读存储器 RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
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