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参数资料
| 型号： | M95080-VBN6T |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 64/32/16/8 Kbit Serial SPI Bus EEPROM With High Speed Clock |
| 中文描述： | 64/32/16/8千位串行SPI总线的EEPROM高速时钟 |
| 文件页数： | 13/39页 |
| 文件大小： | 590K |
| 代理商： | M95080-VBN6T |
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M95640, M95320
Figure 10. Write Disable (WRDI) Sequence
Write Disable (WRDI)
One way of resetting the Write Enable Latch
(WEL) bit is to send a Write Disable instruction to
the device.
As shown in Figure 10, to send this instruction to
the device, Chip Select (S) is driven Low, and the
bits of the instruction byte are shifted in, on Serial
Data Input (D).
The device then enters a wait state. It waits for a
the device to be deselected, by Chip Select (S) be-
ing driven High.
The Write Enable Latch (WEL) bit, in fact, be-
comes reset by any of the following events:
– Power-up
– WRDI instruction execution
– WRSR instruction completion
– WRITE instruction completion.
C
D
AI03750D
S
Q
2
1
3
4
5
6
7
High Impedance
0
Instruction
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| M95080-WBPMN6 | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 5.5V 8K (1Kx8) RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| M95080-WBPMN6T | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 5.5V 8K (1Kx8) RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| M95080-WDW6T | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 5.5V 8K (1Kx8) RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| M95080-WDW6TP | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 2.5 V to 5.5V 8K RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
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